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近日，全球知名电源测试设备制造商ITECH(艾德克斯电子)正式发布了其最新的高速大功率电子负载——IT8900G/L。这款设备以卓越的动态响应和带载能力再次引领行业潮流。通过30kHz电流的精准动态控制，IT8900G不仅为高频应用提供了更广泛的测试解决方案，还显著提升了测试效率和精度。
Littelfuse公司荣幸地宣布推出IX4341和IX4342双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器。这些栅极驱动器专为驱动MOSFET而设计，通过增加其余两个逻辑输入版本完善了现有的IX434x驱动器系列。
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，具有宽禁带的特性，从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。SiC器件适用于高压、高频应用场景。
随着银发经济的发展，智能家电等日常生活高频使用产品和服务的适老化需求有望被进一步推进，相关产业或市场也将被进一步带动。
华大电子推出的CIU32L0超低功耗安全MCU产品线是基于ARM 32位内核，最高频率可达48MHz，具有超低功耗、高集成度、高可靠性、高安全的特点。
凭借耐高压、耐高温和高频等优越的物理特性，SiC-MOSFET有望在新能源汽车800V高压超充时代替代Si IGBT，并在主驱逆变器、充电桩、OBC、DC-DC等应用场景中加速渗透。
随着高压、高频及高温领域应用的逐渐提高，第三代半导体技术高频化和可靠性等性能的要求已是必须。
压敏电阻两个电极之间都是氧化锌材料，平时就是呈高阻的近似绝缘体。所以压敏电阻就是相当标准的电容器结构。压敏电阻两电极间呈现的电容，在几百pF～几千pF之间，因而它不利于对高频电子系统的保护。对于频率较高的系统的保护，应选择电容低的压敏电阻。文章综述介绍了压敏电阻的电容特性。
典型的雷达传感器包含一个雷达芯片组以及其他电子元件，例如电源管理电路、闪存和接口外设，所有这些都装配在一个印刷电路板(PCB)上。发送天线和接收天线通常也在PCB上实现，但要提高天线性能，则需要使用高频基板材料(例如Rogers RO3003)，而这会增加PCB的成本和复杂性。
新一代的移动通信网——5G网络已成为广大社会群众的关注焦点。从目前全球频谱分布来看，要想获得更多的带宽，5G频段高频化成为必然趋势，而高频化所带来的覆盖区域变小将导致5G时代全球站点数量倍增，站点能耗翻倍，电源功率密度提升成为5G电源的迫切需求。
