2D NAND 是一种平面的非易失性存储器，通常由浮栅晶体管（Floating Gate Transistor，FGT）或浮栅选择晶体管（Floating Gate Select Transistor，F GST）组成。它通过在硅片上制造出存储单元阵列来存储数据，每个存储单元可以存储一位数据。与 3D NAND 相比，2D NAND 的存储密度较低，但制造成本相对较低，因此在一些对成本敏感的应用中仍然有广泛的应用。同时，2D NAND 也在不断发展和改进，以提高存储容量、读写速度和可靠性等方面的性能。
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