V-NAND 是三星电子开发的一种 3D NAND 存储器技术。它使用垂直堆叠的方式在 3D 空间中增加存储单元的数量,从而实现更高的存储密度和更大的存储容量。V-NAND 技术的主要优点包括:更高的存储密度:V-NAND 技术可以在更小的空间内存储更多的数据,从而提高存储密度。 更大的存储容量:V-NAND 技术可以实现更高的存储容量,从而满足了不断增长的存储需求。 更低的成本:V-NAND 技术的生产成本相对较低,因此可以提供更具竞争力的价格。 更好的性能:V-NAND 具有更快的读写速度和更低的
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