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FinFET技术是电子行业的下一代前沿技术，是一种全新的新型的多门3D晶体管。和传统的平面型晶体管相比，FinFET器件可以提供更显著的功耗和性能上的优势。英特尔已经在22nm上使用了称为“三栅”的FinFET技术，同时许多晶圆厂也正在准备16纳米或14纳米的FinFET工艺。虽然该技术具有巨大的优势，但也带来了一些新的设计挑战，它的成功，将需要大量的研发和整个半导体设计生态系统的深层次合作。
台积电不准备部署据说是移动设备的福音的FinFET技术，至少14nm节点之前不会。这一策略与英特尔不同，英特尔最近发布了名为三栅极技术的FinFET器件的应用，使用该公司的1270工艺制程(即22nm工艺)。目前1270工艺准备下半年于英特尔亚利桑那州的F32工厂量产(参阅电子工程专辑报道：英特尔提前量产3D晶体管，进入22nm时代)。
