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国际领先的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA 两个频段的大功率330W LDMOS，器件型号为PXAC203302FV。世强代理的该器件适用于1880-2025MHz频段，可以用于基站多载波射频功率放大器。
本文针对全球掀起的数字电视无线发射热潮，对数字电视发射机的发展技术特点趋势进行了较详细地介绍和分析。论述了数字电视发射机中所使用的数字自适应预校正技术、LDMOS技术、N+1技术和发射机的冷却技术等以及使用这些新技术的优势。
中国移动日前在其官方网站正式公布了2013年TD-LTE无线主设备的招标公告，此次集采涉及全国31个省市，采购规模约为20.7万个基站，共计55万载扇。与此同时，中移动还启动了2013年首次TD-LTE 4G终端集采，规模为20.65万部。
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。
恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克：NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管，作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。
射频(RF)功率技术领域的领先提供商飞思卡尔半导体日前宣布为其Airfast RF功率解决方案旗舰系列推出了多个最新成员：包括三个LDMOS功率晶体管和一个氮化镓(GaN)晶体管，所有产品均超越了严格的地面移动市场要求，具有超强耐用性。
飞思卡尔半导体为其Airfast RF功率解决方案旗舰系列推出了多个最新成员：包括三个LDMOS功率晶体管和一个氮化镓(GaN) 晶体管，所有产品均超越了严格的地面移动市场要求，具有超强耐用性。
飞思卡尔计划通过全新的氮化镓(GaN) RF功率晶体管产品、经过验证的400多个LDMOS RF功率晶体管和砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)产品支持广泛的A&D应用。
IIC China展会进入第二天，恩智浦半导体高性能RF产品线RF功率及基站产品国际营销经理潘蟠，在今天上午为现场观众展示了采用LDMOS工艺的RF功率产品，是如何成为构建绿色移动通信网络的理想选择，并广泛应用于WCDMA、TD-SCDMA、GSM以及LTE等各种移动通信标准。其中面向LTE和TD-SCDMA分别推出的射频功率放大器BLFG27LS-90P和BLF7G21LS-160P效率可达 4
2012年7月11日，德国纽必堡讯——英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50V LDMOS工艺技术，全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计的高功率密度和称雄业界的可靠性。
