MOS晶体管(mos晶体管)一般指N沟MOS晶体管。N沟MOS晶体管是金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)的一种,结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC。
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应用材料公司在Applied Centura® RP Epi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术,继续保持其在外延技术方面十年来的领先地位。该应用技术的开发符合行业在20纳米节点时将外延沉积从PMOS(P型金属氧化物半导体)向NMOS(N型金属氧化物半导体)晶体管延伸的趋势,推动芯片制造商打造出更快的终端,提供下一代移动计算能力。
2012年7月11日,德国纽必堡讯——英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50V LDMOS工艺技术,全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计的高功率密度和称雄业界的可靠性。
飞思卡尔半导体日前推出两个LDMOS RF功率晶体管,允许无线基站放大器覆盖整个分配频带中的所有通道。
富士通,适用于功率放大器,CMOS逻辑高压晶体管 富士通微电子(上海)有限公司近日宣布,富士通实验室和富士通株式会社联合开发出一款具有高击穿电压并基于逻辑(1)制程的CMOS高压晶体管,该晶体管适用于无线设备的功率放大器。作为先进科技的先驱,富士通开发完成了世界上第一代基于45纳米工艺的CMOS晶体管,能够处理10 V功率输出,这使得晶体管能够处理用于WiMAX(2)和其它高频应用的功率放大器的高
安捷伦在华成立CMOS晶体管建模中心