N沟道器件,也被称为N沟道场效应管或N沟道金属氧化物半导体场效应管,是一种具有n型导电性能的半导体器件。它具有很多特性和功能,能够在电路设计中发挥重要作用。 N沟道器件的输入端与输出端之间没有明显的分界线,且在输入和输出电阻上也没有明显的区别。因此,它特别适合于高频电路中作开关元件用。然而,当它的工作频率超过某一限度后,其性能将急剧下降而失去使用价值,所以一般常用的是低频或中频电路中的开关元件。 在集成电路中,N沟道器件被用作开关和放大器。由于它的小体积、低功耗和高可靠性,使得它成为数字电路中的重要
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日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。该器件采用占位面积2mm x 2mm的热增强型PowerPAK® SC-70封装,具有N沟道器件中最低的导通电阻。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A~36A电流,采用多种封装。
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出其下一代D系列高压功率MOSFET的首款器件。新的400V、500V和600V n沟道器件具有低导通电阻、超低栅极电荷和3A~36A电流,采用多种封装。
Diodes 公司推出专为IP电话(VoIP)通信开发的新型60V N沟道器件,扩展了其MOSFET产品系列。新型 Diodes DMN60xx 系列专为处理产生正极线和负极线换行线路馈电 (Tip and Ring Linefeeds) 所需的高脉冲电流,以及抵挡电源开关时引起的雪崩能量而设计。