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飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrench® MOSFET，在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。该系列包括FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P沟道MOSFET。与竞争对手的器件相比，这类P沟道MOSFET具有更好的开关性能品质因数(FOM)，比竞争对手提供的最佳器件还要高出67%。
DC-DC转换应用的设计人员正面临提升功率密度的同时节省电路板空间和降低热阻的挑战。飞兆半导体 (Fairchild)全新的中压PowerTrench MOSFET采用Dual Cool封装技术，非常适合解决这些设计难题。
DC-DC转换应用的设计人员正面临提升功率密度的同时节省电路板空间和降低热阻的挑战。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)全新的中压PowerTrench® MOSFET采用Dual Cool™封装技术，非常适合解决这些设计难题。
汽车动力转向系统的设计工程师需要能够提供更高效率和更佳功率控制的解决方案。 飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的40V N沟道PowerTrench® MOSFET可帮助设计人员应对这些挑战。
提升功率密度和轻载效率是服务器、电信和AC-DC电源设计人员的主要考虑问题。此外，这些开关电源(SMPS)设计中的同步整流需要具有高性价比的电源解决方案，以便最大限度地减小线路板空间，同时提高效率和降低功耗。有鉴于此，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩展PowerTrench® MOSFET系列来帮助设计人员应对电源设计挑战。
便携设备的设计人员面临着在终端应用中节省空间、提高效率和应对散热问题的挑战。为了顺应这一趋势，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发了FDZ661PZ和FDZ663P P沟道、1.5V规格的PowerTrench®薄型0.8mm x 0.8mm WL-CSP MOSFET器件。
在能源效率标准和最终系统要求的推动之下，电源设计人员需要有助于缩减其应用电源的外形尺寸且不影响功率密度的高能效解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET以3.3mm x 3.3mm PQFN外形尺寸提供业界最佳功率密度和低传导损耗，能够满足这些需求。
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 现为手机和其它超便携应用的设计人员提供一款P沟道PowerTrench® MOSFET器件，满足其对具有出色散热性能的小尺寸电池或负载开关解决方案的需求。
飞兆半导体公司宣布，两家公司进一步扩展封装兼容合作伙伴关系，扩展协议将包括5x6mm非对称结构功率级双MOSFET封装。飞兆半导体PowerTrench®非对称结构功率级双MOSFET模块是飞兆半导体全面广泛的先进MOSFET产品系列的组成部分，为电源设计人员提供了适用于关键任务的高效信息处理设计的全面解决方案。
为了帮助设计人员应对减小设计空间和提高效率的挑战，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 开发出PowerTrench® MOSFET器件FDMB2307NZ。该器件具有能够大幅减小设计的外形尺寸，并提供了所需的高效率。
