SiC功率半导体是以碳化硅(SiC)为材料制成的功率半导体器件。与传统的硅器件相比,SiC功率半导体拥有低导通电阻特性以及出色的高温、高频和高压性能,因此被视为下一代低损耗半导体可行的候选器件。 SiC功率半导体的低导通电阻特性有助于显著降低设备的能耗,从而有助于设计出能够减少CO2排放量的环保型产品和系统。此外,SiC功率半导体能让设计人员减少元件的使用,进一步降低设计的复杂程度。 在具体应用方面,SiC功率半导体在电动汽车、数据中心、基站和智能电网等高电压和大容量发展的应用中表现出色,有助于提高
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三菱电机株式会社定于7月31日开始,依次提供5个品种的SiC功率半导体模块,以满足家电产品与工业设备对应用SiC材料的新一代SBD※2和MOSFET※3等功率半导体的需要。这些产品有助于使得应用逆变器的家电产品和工业设备更高效化、小型化、轻量化。
受东日本大地震和少子老龄化等影响,日本铁路行业的业务环境正在发生巨变。本站将分两次介绍铁路技术第一线的情况。首先是为实现节能而采取的举措。
瑞萨电子计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。耐压600V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”将从2011年3 月底开始样品供货。除了空调等白色家电外,预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC(功率因数校正)电路以及逆变器电路。瑞萨计划从2011年10月开始少量量产,2012年3月以后以10万个/月的规模量产。该公司还打算在2011年度内,样品供货耐压提高至120