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本文采用了SiGe BiCMOS工艺实现了集成E类功率放大器，其工作频率为1.8GHz，工作电压为1.5V，输出功率为26dBm，并具有高效率和低谐波失真的特点，适用于FM/FSK等恒包络调制信号的功率放大。
中国 上海，2013年7月5日 –全球示波器市场的领导厂商---泰克公司日前宣布，其下一代高性能实时示波器将采用IBM的最新9HP硅锗 (SiGe) 芯片制造工艺。IBM的第五代半导体技术与早前宣布的正在申请专利的异步时间插值 (Asynchronous Time Interleaving) 技术将使新示波器带宽达到70 GHz并实现信号保真度改善。
在满足宏蜂窝基站性能要求的前提之下，集成度究竟能够达到多高? 工艺技术仍然限定某些重要的功能部件必须采用特殊工艺来制造：在射频 (RF) 领域采用GaAs 和 SiGe 工艺，高速 ADC 采用细线 CMOS 工艺，而高品质因数 (High-Q) 滤波器则无法采用半导体材料很好地实现。此外，市场对于提高集成度的需求并没有停止。
2013年4月16日，德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX/OTCQX: IFNNY)今日发布一个可取代十余个独立器件从而简化系统设计和生产工作的收发器产品线。由于功耗更低，这一高度集成的单片收发器，还可帮助降低高数据速率毫米波无线回程通信系统的固定费用。新产品面向LTE/4G基站和核心网之间数据速率超过1Gbps的无线数据链路。
斯坦福大学发布了首款由碳纳米晶体管组成的电脑芯片。硅晶体管早晚会走到道路的尽头。晶体管越做越小，以至于它不能够容纳下足够的硅原子来展示硅的特性。碳纳米管(CNT)，锗化硅(SiGe)，砷化物(GaAs)都是可能的替代品。碳纤维纳米管具有良好的传导性，体积小，并且能在刹那间开关。它拥有比肩石墨烯的电气属性，但是制造半导体的难度却小很多。这也是为什么短期内大家更看好碳纳米管，而非石墨烯。
日前，世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)宣布其最新研发成功、处于业界领先地位的0.13/0.18微米SiGe工艺技术进入量产。由此成为国内首家、全球少数几家可以提供0.13/0.18微米SiGe量产工艺的代工厂之一。
2012年11月13日，德国慕尼黑(2012年国际电子元器件博览会)讯-飞思卡尔半导体 [NYSE: FSL) 日前面向自适应巡航控制等主动安全应用，推出了新款Xtrinsic PRDTX11101 汽车雷达发射器。这是业界首款77 GHz硅锗(SiGe)BiCMOS发射器，具有集成压控振荡器(VCO)和功率放大器，提供更高的控制，降低了系统设计的复杂性和成本。
致力于提供帮助功率管理、安全、可靠与高性能半导体技术产品的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC) 推出世界首个用于IEEE 802.11ac标准的第五代Wi-Fi产品的单片硅锗(SiGe) RF前端(FE)器件。新型LX5586 RF FE器件受益于业界领先的高集成水平和高性能SiGe工艺技术，具有超越现有技术的显著性能和成本优势。
PRDTX11101汽车雷达发射器提高逻辑和功率放大器集成度业界首款针对汽车雷达传感器的基于SiGe BiCMOS技术的77 GHz VCO+Tx ，提高了逻辑和功率放大器集成度飞思卡尔半导体 [NYSE: FSL) 日前面向自适应巡航控制等主动安全应用，推出了新款Xtrinsic PRDTX11101 汽车雷达发射器。这是业界首款77 GHz硅锗(SiGe)BiCMOS发射器，具有集成压控振荡器
SiGe 半导体公司 (SiGe Semiconductor) 现已推出 2GHz 无线 LAN 功率放大器 (PA) 模块。型号为 SE2576L 的全新 IEEE802.11bgn 器件，是业界尺寸最小且效率最高的功率放大器，发射功率为26dBm。SE2576L 瞄准需要大射频 (RF) 发射功率的网络应用，如家庭影院或数据传输、企业和室外网络，以及公共上网热点，能够提供完整的覆盖范围和更高的
