天通成功研发宽温低损耗MnZn铁氧体TPW30材料
2011-08-26 11:51:51
来源：大比特电子变压器网
摘要： 近期，天通成功研发宽温低损耗MnZn铁氧体TPW30材料。
近期，天通成功研发宽温低损耗MnZn铁氧体TPW30材料。该材料使用范围由一般的25℃~120℃扩展到了-25℃~140℃，而且在较宽的温度范围内拥有较低的损耗，主要用于车载电子、CRT、LCD、PDP、数码相机等领域。天通工程师指出，TDK在-25℃、60 ℃、140℃等中功率损耗部分指标不存在，而天通则将温度控制在400℃以内。该司工程师表示，TPW30材料目前已经进行小批量生产，针对内外销，随着市场的发展，将会扩大生产规模。
天通MnZn铁氧体TPW30材料与国外对比：
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