Vishay Siliconix首创将高、低MOSFET集成在同一封装，大幅节省占位空间并降低设计难度
节省空间的器件在10V电压下的导通电阻低至5.8 mΩ，在+70℃下的最大电流达13.9A
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出在一个封装内集成一对不对称功率MOSFET系列的首款产品 --- SiZ700DT。该款器件的推出将有助于减少DC-DC转换器中高边和低边功率MOSFET所占的空间。SiZ700DT采用6 mm×3.7mm的新型PowerPAIRTM封装，在一个紧凑的器件内同时提供了低边和高边MOSFET，同时保持了低导通电阻和高最大电流的特性，比使用两个分立器件的方案节省了很多电路板空间。PowerPAIR的厚度为0.75 mm，比厚度为1.04mm的PowerPAK 1212-8和PowerPAK SO-8封装薄了28%。
在PowerPAIR型封装出现之前，工程师在设计用于笔记本电脑、VRM、电源模块、图形卡、服务器、游戏机的系统电源、POL、低电流DC-DC转换器和同步降压转换器，以及工业系统中的DC-DC转换器时，只能使用两个独立的器件来达到降低导通电阻和提高电流的目的。
例如，常规双MOSFET的PowerPAK 1212-8的导通电阻大约是30mΩ，最大电流不到10A，因此不是可行的方案。单MOSFET的PowerPAK 1212-8的导通电阻降至5mΩ左右。SiZ700DT中低边沟道的MOSFET具有类似的导通电阻，在10V和4.5V电压下的导通电阻分别为5.8mΩ和6.6mΩ，在+25℃和+70℃温度下的最大电流分别为17.3A和13.9A。除此以外，高边沟道的MOSFET在10V和4.5V电压下的导通电阻分别为8.6mΩ和10.8mΩ，在+25℃和+70℃温度下的最大电流分别为13.1A和10.5A。这些指标令设计者能够用一个器件替代原先的两个器件，节省成本和空间，包括两个分立MOSFET间的空隙和标识面积。在一些更低电流和更低电压的应用中，甚至可以用PowerPAIR器件替换两个SO-8封装的MOSFET，至少能够节省三分之二的空间。
由于两个MOSFET已经在PowerPAIR封装内部连接上了，电路板的布局会更加简单，PCB走线的寄生电感也减小了，提高了系统效率。此外，SiZ700DT在引脚排列上了优化，这样在一个典型的降压转换器上，输入引脚被安排在一侧，输出引脚是在另外一侧，进一步简化了电路板布局。
器件符合IEC 61249-2-21的无卤素规定。
性能规格表：
|
通道 |
VDS |
VGS |
RDS(ON) @
10 V |
RDS(ON) @
4.5 V |
Qg (typ) |
ID @ TA = 25 °C |
ID @ TA =
70 °C |
|
1 |
20 V |
± 16 V |
8.6 m |
10.8 m |
9.5 nC |
13.1 A |
10.5 A |
|
2 |
20 V |
± 16 V |
5.8 m |
6.6 m |
27 nC |
17.3 A |
13.9 A |
SiZ700DT TrenchFET功率MOSFET现可提供样品，将在5月实现量产，大宗订货的供货周期为十周至十二周。
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