飞兆半导体推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET,提供业界最低RDS(ON)
提供同级最佳RDS(ON),为便携式应用实现更长的电池寿命
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ,该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench? 工艺 技术,为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最低RDS(ON) 值(-4.5V下为75m?) ,能够最大限度地减小传导损耗。通过降低损耗,FDZ371PZ能够提高便携设计的效率,并延长电池寿命。FDZ371PZ还可提供4.4kV的稳健ESD保护功能,以保护器件免受ESD事件影响。
FDZ371PZ器件的WL-CSP封装使用4 x 250μm无铅焊球,具有出色的电气和热阻数值,安装时的封装高度达到0.4mm,达业界领先水平。
FDZ371PZ是飞兆半导体全面的先进MOSFET产品系列的成员,能够满足业界对于紧凑的薄型MOSFET器件的需求,并提供高效率和出色的开关性能。
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