IR推出适用于汽车的DirectFET®2功率MOSFET，实现卓越的功率密度和性能
国际整流器公司今天推出适用于汽车的AUIRF7739L2和AUIRF7665S2 DirectFET®2功率MOSFET。这两款产品以坚固可靠、符合AEC-Q101标准的封装为汽车应用实现了卓越的功率密度、双面冷却和极小的寄生电感和电阻。
IR的这些首款汽车用DirecFET2件完全不含铅，与传统标准塑料封装元件相比，可降低整体系统级尺寸和成本，实现更优异的性能和效率。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“AUIRF7739L2和AUIRF7665S2结合了经过实践验证的DirectFET封装技术带来的卓越可靠性和性能，以及IR的最新沟道硅工艺。新款DirectFET2器件在应用于下一代车辆平台时可以达到最佳表现，实现超低导通电阻(RDS(on)) 、栅极电荷 (Qg) 或逻辑电平操作，从而极大提升性能和效率，并缩减了系统尺寸和元件数量。”
采用新款大罐式封装的AUIRF7739L2具有业内最低的导通电阻，在给定PCB 区域40V电压时的导通电阻典型值仅为0.7mΩ 。此外，与D2PAK相比，大罐式封装的占位面积可以减少60%，厚度可以降低85%。这款器件可提供卓越的功率密度和效率，非常适合高负载电机控制应用，包括电动助力转向系统(EPS)和微型混合动力车的电池开关和集成式起动发电机(ISA)，以及底盘、传动系统和动力系统等。
AUIRF7665S2小罐器件可提供极低的栅极电荷，表现出非常小的寄生效应，以及快速、高效的开关性能。DirectFET2 MOSFET是汽车开关应用的理想选择，包括D类音频放大器的输出级电路，以及DC-DC转换器和燃油喷射系统。
AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 均符合 AEC-Q100 标准，是在 IR 要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的，所采用的环保材料既不含铅，也符合有害物质管制指令(RoHS)。
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