Vishay Siliconix将第三代P沟道TrenchFET®技术扩展至双路12V功率MOSFET
新器件在2mmx2mm的占位面积内将导通电阻最多降低了32%
2010 年 4 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款双路12V P沟道TrenchFET®功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻，采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装。
通过推出SiA975DJ，Vishay将其第三代P沟道TrenchFET技术扩展到双路12V功率MOSFET，并且采用了适用于手持式电子设备的超小PowerPAK SC-70封装。新器件可用于游戏机及手机、智能手机、PDA和MP3播放器等便携式设备中的负载、PA和电池开关。
对于这些设备，SiA975DJ的更低导通电阻意味着更低的传导损耗，使器件能够用比以往市场上采用超小封装的双路P沟道功率MOSFET更少的能量完成开关工作，从而延长两次充电之间的电池寿命。MOSFET的低导通电阻还意味着在峰值电流下的电压降更低，能够更好地防止IC和负载出现欠压锁定情况。这样，设计者就可以使用电压更低的电池。
SiA975DJ具有超低的导通电阻，在4.5V、2.5V和1.8V下的导通电阻分别为41mΩ、60mΩ和110mΩ。最接近的20V P沟道器件的栅源电压等级为8V，在4.5V和2.5V栅极驱动下的导通电阻为60mΩ和80mΩ。这些数值分别比SiA975DJ高32%和25%。
SiA975DJ的PowerPAK SC-7封装占位只有2mm x 2mm，是TSOP-6尺寸的一半，而导通电阻则相差无几。MOSFET经过了100%的Rg测试，符合IEC 61249-2-21的无卤素规范，符合RoHS指令2002/95/EC。
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