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2010 年 4 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款双路12V P沟道TrenchFET®功率MOSFET --- SiA975DJ。新器件具有迄今为止双路P沟道器件中最低的导通电阻，采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK® SC-70封装。
