美国国家半导体推出业界最低噪声的超高速放大器
2010-05-18 14:01:47
来源：SCA
这款 PowerWise LMH6629 芯片在10 倍增益及 900MHz 带宽操作时，其噪声低至 0.69nV/sqrt Hz
二零一零年五月十八日 -- 中国讯 -- 美国国家半导体公司（National Semiconductor Corporation）（美国纽约证券交易所上市代码：NSM）宣布推出一款业界最低噪声的全新超高速运算放大器。这款型号为LMH6629的PowerWise? 芯片在10倍增益及900MHz -3dB带宽操作时，其噪声低至0.69nV/sqrt Hz。这款芯片将高带宽、大增益以及精准的信号放大性能等多种优势集为一体，特别，适合于对要求噪声减至最低的系统16位的通信系统、测试和测量设备、医疗成像系统、工业设备及激光测速系统等等。
LMH6629芯片的输入电流噪声也极低（只有2.6pA/sqrt Hz），在输入频率为 1MHz时，第2及第3谐波失真分别只有 -90dBc 及 -94dBc。这款运算放大器不但具备低输入噪声、低失真及高速的优点，而且直流电误差极低，在摄氏25度时的最高输入偏移电压只有780uV，输入偏移电压漂移温度系数（TCVos）则低至每度（摄氏）只有+/-0.45uV，从而确保交流及直流耦合系统信号的准确无误。
LMH6629芯片的输入共模电压范围在接地电压以下，而输出电压摆幅不超过 +/-0.8V，线性输出电流则高达 +/-250mA 以上。这款PowerWise运算放大器适用于 2.7V至5.5V之间的供电电压范围，耗电只有15.5mA。由于这款芯片设有内部补偿这个功能，因此系统无需加设外部补偿电路，用户也无需为此花费额外的设计时间，在这两方面都优于其他放大器。系统设计工程师只要将最低增益选择引脚拉上或拉下，便将LMH6629芯片的最低增益设置为 4 或 10。
LMH6629芯片采用美国国家半导体全新CBiCMOS8硅锗（SiGe）互补双极CMOS工艺技术制造。CBiCMOS8是目前业界最先进的模拟工艺技术，其独特之处是将硅锗NPN及PNP晶体管集成在单芯片之内，另外还集成了低功率CMOS晶体管，使这款芯片无论在速度、线性特性、电路密度、功率及噪声等方面都具备卓越表现，从而满足高速模拟系统的严格要求。
二零一零年五月十八日 -- 中国讯 -- 美国国家半导体公司（National Semiconductor Corporation）（美国纽约证券交易所上市代码：NSM）宣布推出一款业界最低噪声的全新超高速运算放大器。这款型号为LMH6629的PowerWise? 芯片在10倍增益及900MHz -3dB带宽操作时，其噪声低至0.69nV/sqrt Hz。这款芯片将高带宽、大增益以及精准的信号放大性能等多种优势集为一体，特别，适合于对要求噪声减至最低的系统16位的通信系统、测试和测量设备、医疗成像系统、工业设备及激光测速系统等等。
LMH6629芯片的输入电流噪声也极低（只有2.6pA/sqrt Hz），在输入频率为 1MHz时，第2及第3谐波失真分别只有 -90dBc 及 -94dBc。这款运算放大器不但具备低输入噪声、低失真及高速的优点，而且直流电误差极低，在摄氏25度时的最高输入偏移电压只有780uV，输入偏移电压漂移温度系数（TCVos）则低至每度（摄氏）只有+/-0.45uV，从而确保交流及直流耦合系统信号的准确无误。
LMH6629芯片的输入共模电压范围在接地电压以下，而输出电压摆幅不超过 +/-0.8V，线性输出电流则高达 +/-250mA 以上。这款PowerWise运算放大器适用于 2.7V至5.5V之间的供电电压范围，耗电只有15.5mA。由于这款芯片设有内部补偿这个功能，因此系统无需加设外部补偿电路，用户也无需为此花费额外的设计时间，在这两方面都优于其他放大器。系统设计工程师只要将最低增益选择引脚拉上或拉下，便将LMH6629芯片的最低增益设置为 4 或 10。
LMH6629芯片采用美国国家半导体全新CBiCMOS8硅锗（SiGe）互补双极CMOS工艺技术制造。CBiCMOS8是目前业界最先进的模拟工艺技术，其独特之处是将硅锗NPN及PNP晶体管集成在单芯片之内，另外还集成了低功率CMOS晶体管，使这款芯片无论在速度、线性特性、电路密度、功率及噪声等方面都具备卓越表现，从而满足高速模拟系统的严格要求。
本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载，否则将严格追究法律责任；
暂无评论