TriPower HV-HBT 砷化镓射频器件降低运营成本，针对3G / 4G基站放大器实现55%的效率

中国，上海 — 2010 年 5 月 27 日 — 全球射频产品的领导厂商和晶圆代工服务的重要供应商TriQuint半导体公司（纳斯达克：TQNT），日前宣布推出首款新型高效率、绿色环保的3G/4G无线基站TriPower射频集成电路系列。TriPower器件解决网络运营商对消费者智能手机及类似产品迅速增长的高带宽要求的两大挑战。TriPower降低启动网络基站放大器的所需的电力，同时运营商能更容易地提高网络容量和速度。

更有效的放大器意味着节省更多的费用。以一个覆盖中型城市和周边地区含有2，000个此类放大器的通信网络为例，基于TriPower的通信网络每年可比目前部署的典型系统少排放340吨的二氧化碳。如按照美国林业局每亩森林年吸收2.6吨二氧化碳的标准进行换算，使用TriPower这样的系统相当于在生态系统增加130多亩的树木。

TriQuint半导体的中国区总经理熊挺指出：“TriPower对基站放大器具有革命性的意义。传统半导体技术无法有效满足3G和4G网络复杂的调制要求。作为GaAs（砷化镓）和 GaN（氮化镓）工艺技术的领导者，TriQuint检验两种不同工艺的器件在大功率基站应用的潜力。我们认为，从可靠性、成本和效率角度看，TriPower的砷化镓 HV-HBT技术是最佳选择。我们最新推出的 TriPower器件提供目前市场上最低的功耗，并支持新型、高效、塔顶远端射频头设计。TriPower技术改变了游戏规则。”

熊挺补充说TriQuint公司采用专利工艺、设计和制造技术实现TriPower出色的效能表现。TriPower射频集成电路可以很容易地使用传统的数字预失真（DPD）技术来线性化。

市场研究机构EJL Wireless Research LLC.总裁Earl J. Lum指出：“我们认为像 TriPower这样可提高整体射频放大器功率的任何技术，未来将使业界能满足高PAR（峰均比）放大器更严格的能源需求。我们预测到2013年，在出货量方面，较高的峰均比多模的3G WCDMA / HSPA和4G LTE基站，将迅速取代传统的2G GSM移动通信基站（基站收发信机），并且其市场份额将从25％提高到超过50％。按单位出货量计算，从2008 年到2013年，高峰均比基站放大器将以每年85%的速度急剧增长。”

详细技术说明

TriPower系列是高功率晶体管产品，重要组成部分影响放大器的设计和整体基站电力消耗。“TriPower” 的名称是来自技术的三个主要效益： 高功率、高效率、高线性度。不使用TriPower技术的系统，平均效率接近42％；而采用TriPower技术的系统能够减少电力需求和较小规模的碳足迹，其效率达到创纪录的55％。

TriPower产品在设计上采用高压异质结双极型晶体管(HV-HBT)和砷化镓工艺 (GaAs)，有助于无线基站制造商和网络运营商提高效率，同时满足3G/4G蜂窝通信系统线性要求。当用在提高对称Doherty放大器的最大效率，两个TriQuint TG2H214120 120 W 器件效率可以提供大于60 W WCDMA平均功率时的55%效率。由于TriPower具有极高效率，因此，运营商可将大型放大器安装在现有基站塔顶上，毋需相应增加尺寸和重量，相对地大功率放大器可以提高基站范围内所有用户的数据传输速率。

TriQuint公司的两个高效TriPower新产品 --- TG2H214120 (120W) 和TG2H214220 (220W)，是本系列首度推出的两款产品，自2010年起将陆续发布包括更多频段和功率级别产品。这些新器件将扩大TriPower技术对全球不同蜂窝通信系统的绿色环保影响。