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英飞凌推出650V CoolMOS™ C6/E6高压功率晶体管

2010-07-13 14:20:25 来源:博达公关公司

为开关应用带来最高效率和轻松控制

2010年7月2日,德国纽必堡讯——英飞凌科技股份公司(FSE:IFX / OTCQX: IFNNY)近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为、及体二极管高牢固性融合在一起。基于同样的技术平台,C6器件针对易用性进行了优化,而E6器件则旨在提供最高效率。

CoolMOS™ C6/E6是来自英飞凌的第六代市场领先的高压超级结功率MOSFET。全新的650V CoolMOS™ C6/E6器件具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650V CoolMOS™ C6/E6器件易于应用,是各种高能效开关产品的理想之选,例如笔记本电脑适配器太阳能逆变器和其他需要额外击穿电压裕量的开关电源(SMPS)产品。

英飞凌 HVMOS功率分立式器件产品经理Jan-Willem Reynaerts指出:“全新的650V C6/E6产品系列是英飞凌早前推出的CoolMOS™ 600V C6/E6产品系列的有益补充,确保那些需要650V击穿电压的电源产品能享受我们第六代CoolMOS™ 技术的各种优势。从这个意义上讲,CoolMOS™ C6/E6使我们的客户能够从大获成功的C3系列顺利实现更新换代。”

相对于CoolMOS™ C3 650V系列,全新650V CoolMOS™ C6/E6 器件输出电容(Eoss)的储电量降幅高达20%,而C6/E6 器件经过改进的体二极管具备更高的硬换相耐受性,并可使反向恢复电荷降低约25%。得益于调谐栅极电阻的平衡设计,C6/E6 器件的开关行为能够避免过高的电压和电流变化率。

上市与定价

IPA65R280C6 / IPA65R280E6 (280mΩ,采用TO220 FullPAK封装)和 IPA65R380C6 / IPA65R380E6 (380mΩ,采用TO220 FullPAK封装)的样品目前可提供。全新C6/E6 650V 系列的首批器件预计将于2010年7月开始实现量产。该产品系列将逐步实现扩展直至2010年年底。

订购量达到1万枚时, IPA65R280C6 / IPA65R280E6的单价为2.90美元。

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