IR 新型-30V P 沟道功率 MOSFET 使设计更简单灵活
2010-09-17 17:05:34
来源：博达公关公司
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 m至59 m，可匹配广泛的功率要求。P 沟道 MOSFET 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。
IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“相比上一代产品，这个新型SO-8 P 沟道 MOSFET系列显著改善了电流处理能力，更为客户提供广泛的导通电阻选择，以适应他们对温度和成本的要求。同时，P 沟道技术也可以简化电路设计。”
P 沟道 MOSFET器件达到第一级潮湿敏感度 (MSL1) 标准，所采用的材料不含铅，且符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。
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