从2010年到2014年，中芯国际将实现工艺技术的“三级跳”

“尽管近年来半导体制造工厂的建设推动了中国集成电路产能的扩张，但由于市场需求的增长速度更快，中国集成电路生产和需求之间的缺口仍在拉大。”在11月4日由北京市经济和信息化委员会主办的2010北京微电子国际研讨会上，SEMI全球执行副总裁丹尼尔·马丁向与会人士发表了演讲，“在2004年，中国集成电路的供需缺口为360亿美元;而到了2009年，供需缺口加大到了670亿美元，5年之间几乎翻了一番。”的确，中国进口集成电路的金额早已超过了进口石油等能源产品的金额，因此需要着力提高集成电路的国产化率，而这必须在产品创新、工艺提升、产能扩张等方面做足文章。

半导体企业积蓄力量

“从2010年到2014年，中芯国际将实现工艺技术的‘三级跳’。”中芯国际总裁兼首席执行官王宁国介绍，“到2014年，中芯国际的工艺水平将由目前的65纳米/55纳米提升至32纳米/28纳米。”与此同时，中芯国际还将继续扩充其先进工艺的产能。据王宁国透露，根据该公司的计划，在2015年，其12英寸晶圆的年产能将达到200万片。

除了提升工艺水平之外，中芯国际还将在IP的研发方面继续加大投资力度。由于中国集成电路设计企业相对弱小，设计公司拥有的IP较少。“中芯国际要跟中国集成电路设计公司一起成长，就必须在IP方面对他们提供帮助。”王宁国说，“在2010年，中芯国际在IP上的投资额超过了过去3年投资的总和。”

在提升工艺水平和扩充产能的同时，中芯国际也更重视与中国客户的合作。王宁国表示，中国客户在中芯国际的销售份额持续稳步上升，今年第三季度，来自中国客户的收入占中芯国际总营收的32%，而在去年第三季度，这一数据仅为21%，预计到今年第四季度，这一数据将达到34%。“目前，中芯国际65纳米工艺有15个流片项目，其中有一半是服务于中国客户的。”王宁国说。

中国半导体企业在产品创新方面也有不俗的表现。在本届北京微电子研讨会期间，京芯世纪(北京)半导体科技有限公司发布了其首款核心基带芯片产品。京芯世纪是一家致力于开发移动通信3G/4G的核心芯片技术、供应3G/4G终端核心芯片及主板解决方案的芯片设计厂商，自2009年8月成立以来，经过一年的努力，成功推出此款核心基带芯片。据该公司董事长董德福介绍，此次推出的芯片组支持3.5G数据业务，下行速率达到7.2Mbps，上行速率达到384Kbps，首批20万片的订单产品将于12月发往东南亚，同时由欧洲运营商进行的预测试也得到了不错的反馈。“我们这款芯片上市之后，将使HSDPA数据卡的价格从目前的30美元左右降到25美元，相信会对市场带来不小的冲击。”董德福说。记者还了解到，该公司计划在2011年第二季度完成完整的3G手机参考设计方案，并且将进一步努力使该芯片在不久的将来支持多模系统。

北京更多要素资源向IC业集中

作为中国的首善之区，北京市微电子产业也在过去10年间取得了令人瞩目的成就，下一步如何全面提升成为业界焦点。北京市副市长苟仲文则强调，未来几年，北京电子信息产业将借鉴以京东方8.5代线为核心的北京数字电视产业园的成功建设经验，全面推进以中芯国际扩产项目为核心的集成电路产业园、以京芯半导体为核心的移动硅谷产业园、以东贝光电为核心的LED产业园、以区域资源整合为着力点的中关村科学城等专业特色园区的建设，构建完整的产业链配套体系。“同时，我们也将利用中关村国家自主创新示范区‘先行先试’政策的优势，汇集更多的要素资源向集成电路、平板显示等高端和基础性产业集中，实现经济增长方式转变和产业结构调整，使北京发展走上科技引领、创新驱动的轨道。”苟仲文说。

北京市经济和信息化委员会副主任梁胜表示，自2000年6月国务院18号文发布以来，北京集成电路产业不断发展壮大，初步形成了集设计、制造、封装、测试及装备材料协同发展的局面。与此同时，作为与微电子产业享有同等政策与同等战略地位的TFT-LCD产业也不断壮大，以京东方集团为核心的TFT-LCD产业基地已成为全国最大的平板显示产业基地。

在北京微电子国际研讨会期间，北京市还召开了推进国家科技重大专项(01～04)成果产业化工作会。记者了解到，目前4个专项总体进展顺利。01专项的中国移动OphONe、中国联通Uphone项目已有11款终端产品上市，累计销售量超过50万台。02专项中的由北方微电子公司研制的12英寸65纳米栅刻蚀机已进入中芯国际生产线考核测试，并在LED领域实现销售;北京七星华创公司的12英寸氧化炉等其他多种设备已顺利通过整机的组装调试和性能指标测试，开始进入大生产线考核验证。03专项中的北京创毅视讯公司完成了全球第一颗TD-LTE终端基带芯片的成功流片，并在上海世博会期间成功应用展示。04专项中的标志性产品之一——国内规格最大、水平最高的超重型机床“数控重型桥式龙门五轴联动车铣复合机床”已交付使用。