2011年半导体业将呈现先低后高走势 DRAM价格走向跌势
2010年半导体市况呈现「先高后低」的走势，然2011年将会回到上低下高趋势。
主要DRAM记忆体产品DDR3平均固定交易价格2010年上半至年中为止维持上升走势，并于5月达到顶点2.72美元。然由于电脑等成品销售情况不甚理想，使DRAM价格走向跌势，并于2010年12月下半跌破1美元，仅达0.97美元。
DRAM价格自2010年6月开始出现跌幅，其价格跌势预估将持续至2011年第1季，第2季则可望由谷底回升。据记忆体市场研究机构DRAMeXange统计，主要DRAM价格2011年上半仍将维持在1美元以下。因此2011年上半海内外DRAM制造商仍无法避免营收不佳的情况。
然而据韩国电子新闻报导，三星电子(Samsung Electronics)和海力士半导体(Hynix)等韩国DRAM制造商，将以领先的制程技术继续强化市场支配能力。
韩国NH投资证券公司研究员表示，DRAM价格下跌虽然对三星和海力士短期的营收造成影响，但就中长期来说，与其他竞争企业相比，韩厂拥有较先进的制程技术，在价格竞争力上也较占优势。
50纳米制程生产的DRAM至少需以1.2美元金额进行交易才能产生利润，然40纳米制程产品交易价维持0.8~0.9美元便有利润产生。三星和海力士40纳米制程DRAM营收虽受影响，但不至于出现赤字。而尔必达(Elpida)、美光(Micron)、南亚等竞争厂目前仍以50纳米制程为主。
主要DRAM价格2011年上半仍将维持1美元以下价格，许多DRAM制造商上半年将面临赤字危机。然而韩国证券公司预估，三星和海力士2011年第1季仍各可创下1兆韩元(约8.92亿美元)和1，000亿韩元(约8，920万美元= 瑰蝺~利益，形成对比。
尤其DRAM价格下跌，财务结构受影响的尔必达、美光及南亚等企业将可能正式以购并(M&A)的方式维持正常运作。尔必达2010年12月积极推动与台3间DRAM制造商进行合并。
尔必达计划与力晶、茂德、瑞晶等厂进行统合，以挽回受到DRAM激烈竞争及价格下跌对营收所产生的影响。美光2011年也可能与台厂进行购并或策略合作。
韩国业者表示，DRAM制造商尔必达、美光、南亚等将会正式进行合纵连横，而就中长期来说，三星和海力士等业者将能获得最终生存权。
另一方面，受到东芝(Tochiba)停电效应以及智能手机(Smartphone)和平板电脑(Tablet PC)需求增加等影响，2011年快闪记忆体(NAND Flash)业者也将持续受惠。
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