海力士DRAM制程升级到30纳米级 两款计算机用DRAM开始量产
海力士(Hynix)紧跟三星电子(Samsung Electronics)之后,将把DRAM的生产制程转换为30纳米级制程。海力士29日宣布,已开发出2款计算机用DRAM产品,将首度采用30纳米级制程量产。
据海力士表示,计划采用38纳米制程生产4Gb和2Gb 2种产品,2011年第1季将先量产2Gb产品。
三星于2010年7月率先采用35纳米制程量产计算机用2Gb DRAM产品,且近来已完成4Gb产品开发作业,并着手准备投入量产。30纳米级的半导体电路线幅约为人类头发粗细的4,000分之1,将电路线幅缩减至纳米大小,连带可缩减半导体产品体积,使用单一晶圆(wafer)能生产的半导体数量也较多。
相较于40纳米制程,30纳米制程使用单一晶圆可生产的半导体数量增加60~70%。不仅提升生产性,也有利于提升成本竞争力。海力士采用38纳米制程制造DRAM时,较目前采用的44纳米制程产量提升约70%。
海力士表示,采用38纳米制程生产的产品资料处理速度最高可提升至2,133Mbps,较44纳米制程产品资料传输速度提升约60%。此外更减少44纳米制程产品约50%的耗电量。
海力士副社长朴星昱表示,目前2Gb DRAM产品占整体货量50%,未来将扩大高容量、高性能、低耗电产品比重,期望能引领4Gb等高容量产品市场。
暂无评论