集邦科技:2010 Q4全球DRAM营收衰退20%
集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange调查,全球DRAM产业第四季营收数字86.4亿美元,虽然DRAM 总产出量较第三季约成长16%,由于第四季合约价跌幅高达40%,与第三季营收107.8亿美元比较仍下跌约20%左右。
第四季DRAM合约价受到DRAM厂制程快速转进50nm及40nm制程与良率顺利提升下,产出大幅增加16%,但在需求方面,受到旺季销售不如预期,PC-OEM厂仍持续消化DRAM库存,以及 PC主机的记忆体搭载量没有成长下,市场严重供过于求,DRAM价格大幅下滑,第四季DDR3 2GB合约均价为24美元,较上季的40美元相比下滑高达40%,第四季现货市场DDR3 1Gb 1333MHz颗粒均价则较上季下跌37%至1.51美元,DDR2 1Gb 800MHz则下跌约22%至1.57美元左右。
此外,由于DRAM价格第四季跌幅剧烈,除了美系及韩系DRAM厂商仍缴出获利的财报外,其余DRAM厂皆处于亏损状态,DRAM厂亦纷纷对未来资本支出转趋保守,根据集邦科技的调查, 2011年DRAM厂于DRAM资本支出大降43%,由去年的120亿美元降至68亿美元,同时,各家厂商也积极调整产品组合及调降标准型DRAM的产出比重。
全球DRAM厂自有品牌记忆体营收排名
从全球DRAM厂自有品牌记忆体营收排名来分析,韩系厂商三星营收仍居全球DRAM厂之冠,与第三季相比微幅成长0.3%,虽然受到第四季DRAM价格下滑影响,营收衰退近19%,但DRAM市占率仍维持与上季相同约40%左右,三星由于制程转进速度优于其他同业,更率先导入35nm制程,预计年底35nm制程的产出量可以超过50%,市占率有望进一步提升。海力士市占率由上季之19.8%上升至21.9%,其主因由于海力士提升行动型DRAM及伺服器应用 DRAM的产品比重,降低标准型DRAM比重,即使第四季DRAM价格下滑幅度甚剧,海力士DRAM营收仅衰退11.5%。
日系厂商尔必达方面亦受到DRAM价格下滑影响,第四季营收与第三季相比下降约32.2%,市占率也由16.1%下降至13.6%,由于力晶已决定产出的标准型DRAM将全数交由尔必达销售,第二季营收成长动能大增。而在技术转进上,目前45nm制程转换顺利,子公司瑞晶目前良率已达91%,38nm制程更预计于中国农历年后投片,将提升成本竞争力。美光本季营收本季下跌19%,DRAM销量与上季相比仅增加5%,但DRAM销售价格下滑23%, 市占率则为持平走势约在12%。
台系厂方面,南科第四季营收下滑约19%,本季市占率大致维持相同4.2%,近期南科产出量持续增加及良率步入成熟期,加上代工厂华亚科产出量大幅增加下,位元销售量大幅成长35%QoQ,力晶受到现货DRAM价格与上季相比下跌约37%影响,营收亦下滑29.9%,第四季自有品牌营收为1.93亿美元,力晶日前宣布将转型为专业代工厂,将淡出自有品牌销售市场,标准型DRAM亦交由尔必达销售,未来力晶将着重代工业务及Flash产出。华邦虽然第四季营收比第三季下滑3.7%,但由于华邦已经淡出标准型记忆体市场,并专注于利基型记忆体及NOR Flash产出,较不受标准型DRAM价格影响,对于后续表现仍可抱持谨慎乐观的态度。
DRAM产业自有品牌各国市占率
以各国市占率版图来分析,韩系厂商合计市占率高达63.7%,美系以及台系DRAM厂方面市占率皆维持与3Q10相同各为12.2%及10.3%,而日系厂商市占率下滑至13.8%。
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