NAND闪存军备竞赛 可能导致市场“崩盘”
2011-02-24 10:33:52
来源：网络
关键词：海力，三星，东芝，NAND，手机，平板电脑，存储，美光，
在2011年的国际固态电路会议(ISSCC)上，海力士、三星和东芝公布了各自关于尖端NAND部件的更多细节。
在一段时间内，由于手机、平板电脑和固态存储等产品市场的强劲需求，NAND闪存厂商一直有着惊人的增长速度。
但是不要看现在，NAND闪存的“派对”可能将要结束了。海力士、美光、三星和东芝已经或者即将建造新的NAND晶圆工厂，此举可能会导致生产能力过剩和价格下跌。
Objective-Analysis分析师Jim Handy表示：“我们一直估计下半年(NAND市场)将要崩盘。”
NAND市场需求预计仍将保持较强水平。Handy在ISSCC大会上表示，NAND平均销售价格(ASP)在过去一年中一直保持平稳，但是平均销售价格预计将在2011年第四季度“瓦解”。
目前，NAND闪存的每GB售价为1.6美元。到2012年中，这一价格预计将下降至0.65美元，降幅达40%。
问题时，即将有太多的工厂产能上线。美光公司正在新加坡兴建新的NAND晶圆工厂。东芝公司日前启动了名为Fab 5的晶圆厂。此外有报道称三星也将启用新的名为Line 16的晶圆厂。
与此同时，在ISSCC大会上，东芝和SanDisk提交了一份关于151平方毫米、64Gb、基于MLC和24nm技术的设备材料。海力士则谈到了他们基于该24nm的32Gb MLC产品线。
市场领导者三星公司则谈到了64Gb、基于27nm的3bpc产品线。
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