半导体投资韩国积极 日台保守
摘要： 日本、台湾业者2011年投资规模缩减幅度较韩国大许多。此外，不只投资规模缩小，在绝对金额方面，韩国企业也超越其它竞争业者。全球排名第3的日本DRAM业者尔必达(Elpida)近来表示2011年将投资400亿日圆(约4.82亿美元)，较2010年投资额1，150亿日圆(约13.86亿美元)缩减约65%。
关键字： 韩国半导体， 三星， 海力士， DRAM， 存储器， 尔必达
据国外媒体报道，韩国半导体业者2011年投资计划非常积极。相对的，日本及台湾企业投资额则较2010年减少60~70%，投资转为保守。
三星电子(SamsungElectronics)2011年计划投资10.3兆韩元(约91.57亿美元)发展半导体事业，与2010年的11兆韩元规模相当。该公司2011年总投资额当中，对DRAM等存储器的投资金额为5.8兆韩元(约51.56亿美元)，较2010年的9兆韩元减少约35%，然2010年三星有建设新产线等特别投资项目，因而三星2011年的投资规模仍不可小觑。2009年三星的存储器投资金额约4兆韩元。三星相关人员表示，2011年虽提高了系统芯片投资比重，但存储器方面也将会持续进行大规模的投资。
海力士半导体(Hynix)2010年在存储器事业方投资了3.8兆韩元(约33.78亿美元)，2011年投资规模也相当，约3.4兆韩元(约30.23亿美元)，且大部分资金将使用在转换微细制程方面。
日本、台湾业者2011年投资规模缩减幅度较韩国大许多。此外，不只投资规模缩小，在绝对金额方面，韩国企业也超越其它竞争业者。全球排名第3的日本DRAM业者尔必达(Elpida)近来表示2011年将投资400亿日圆(约4.82亿美元)，较2010年投资额1，150亿日圆(约13.86亿美元)缩减约65%。
台湾业者的情况也很相似。台湾华亚科技投资额从2010年新台币550亿元，2011年缩减了69%至170亿元。南亚也从新台币230亿元投资额减半至120亿元。
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