东芝与海力士合作研发MRAM技术
2011-07-15 09:40:00
来源：大比特半导体器件网
摘要： MRAM是一种低耗电、读写速度快、关闭电源也能保存数据的非挥发性内存，东芝早在2007年时就已经研发全球首创的MRAM技术，也就是能让MRAM内存储存量增加至GB等级的垂直磁化技术。
东芝周三(713)宣布与韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)合作研发磁电阻式随机存取内存(MRAM)技术，今后将在韩国利川的海力士研究设施中集结双方技术人才，积极推动此合作计划。
MRAM是一种低耗电、读写速度快、关闭电源也能保存数据的非挥发性内存，东芝早在2007年时就已经研发全球首创的MRAM技术，也就是能让MRAM内存储存量增加至GB等级的垂直磁化技术。
藉由此次合作，东芝打算运用本身擅长的NAND闪存技术与MRAM组成信赖度高的组合式记忆系统，藉此创造除了SSD固态硬盘、芯片事业之外的新NAND闪存应用模式。
东芝说明，选择与海力士合作是因为该社有许多MRAM的研发实绩，借着双方合作既可降低研发成本，同时又能加速MRAM的实用化进程。往后也会视技术合作情形，与海力士协商研讨共同制造MRAM相关产品的可能性。
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