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本文主要介绍了存储器，储存器的重要技术指标是速度、非易失性、功耗、成本、体积、寿命等，MRAM存储器的工作原理跟硬盘驱动器类似，跟在电脑硬盘上存储数据一样。
美国亚利桑那州的Everspin科技公司昨日宣布，它们已成为世界首家MRAM(磁性随机存储器)供应商，为其选定的客户推出其自有的ST-MRAM(转矩磁阻随机存取存储器)芯片。这种非易失性存储介质据称比当前的SSD快500倍，但价格也是50倍。在性能方面，ST-MRAM的规格看起来令人印象深刻：16亿的IOPS，"高达"3.2GB/s的带宽，以及纳秒级的延迟。
MRAM是一种低耗电、读写速度快、关闭电源也能保存数据的非挥发性内存，东芝早在2007年时就已经研发全球首创的MRAM技术，也就是能让MRAM内存储存量增加至GB等级的垂直磁化技术。
随着半导体产业在2010年的整体回暖，各种应用领域对包括Flash、DDR3、MRAM、FRAM、SSD和移动硬盘等在内的各种存储器的需求也急速升温。目前存储器行业的供应现状及未来供求趋势如何？市场需求和挑战来自哪里？最新解决方案和产能是否能够满足上述需求？本专题分析文章将帮助您解决以上疑问。
由于价格贵、容量小和应用市场窄，F-RAM的市场一直做不大，在林林总总的非易失性存储器市场，如闪存、EEPROM、MRAM、非易失性RAM、相变存储器、SSD和移动硬盘等，铁电存储器(F-RAM)可能是最不起眼的一种。
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