摘要：  微控制器及触摸解决方案的领导厂商爱特梅尔公司(Atmel® Corporation)宣布提供带有1MB 嵌入式闪存和128KB SRAM的32位ARM® Cortex® -M3微控制器(MCU)的早期样品。全新SAM3S16 Cortex-M3微控制器具有高性能、低功耗和高存储器密度的特点，用于需要电容式触摸高级用户接口、更高数据处理能力和连通性的应用。

关键字：  微控制器，  存储器，  电容，  器件，  自动化

微控制器及触摸解决方案的领导厂商爱特梅尔公司(Atmel® Corporation)宣布提供带有1MB 嵌入式闪存和128KB SRAM的32位ARM® Cortex® -M3微控制器(MCU)的早期样品。全新SAM3S16 Cortex-M3微控制器具有高性能、低功耗和高存储器密度的特点，用于需要电容式触摸高级用户接口、更高数据处理能力和连通性的应用。目标应用包括医疗设备、楼宇和家庭控制、工业自动化、机器对机器(M2M)、测试和测量、智能电网，以及用于消费和计算设备的数据输入/输出外设。

爱特梅尔SAM3S16 Cortex-M3微控制器是有100多种批量付运产品的爱特梅尔ARM产品系列的成员，新器件与现有的SAM3N和SAM3S Cortex-M3微控制器引脚完全兼容，并支持来自爱特梅尔和第三方系统合作伙伴的系统内编程和开发工具。该器件以最高100MHz速率运行，带有1024KB闪存和128KB SRAM，并包含完整的外设集，带有全速USB、用于SDIO/SD/MMC的高速MCI，4个UART，TWI、SPI、I2S，以及一个支持PSRAM、NOR Flash、LCD模块和NAND Flash的外部总线接口。

爱特梅尔公司ARM微控制器产品总监Jacko Wilbrink称：“SAM3S16进一步证实爱特梅尔是微控制器领域的领导厂商，并为市场带来了创新的易于使用的ARM微控制器产品，能够满足对更高性能、更高存储器密度和更低功耗的需求。新产品使用90nm嵌入式闪存技术，使得爱特梅尔得以在运行速率高达100MHz的单片式Cortex-M3微控制器上集成1MB闪存、 128KB SRAM和丰富的外设集。”

作为电容式触摸感测技术的领导厂商，爱特梅尔通过Atmel QTouch® 软件库，为SAM3S16 Cortex-M3微控制器提供电容式触摸按键、滑块和转盘(BSW)的支持。SAM3S16的工作电压范围为1.62V至3.6V，可在动态模式中以低运作频率达到200 uA/Mhz性能;100MHz下耗电量为30mA;在实时时钟(RTC)运作的后备模式下，运作电压为1.8 V，耗电量为3uA。