安森美半导体推出有源时钟产生器IC，用于降低电磁干扰
摘要： 供应商安森美半导体推出新系列的有源时钟产生器集成电路(IC)，管理时钟源的电磁干扰(EMI)及射频干扰(RFI)，为所有依赖于时钟的信号提供降低全系统级的EMI。新的P3MS650100H及P3MS650103H 低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS) 降低峰值EMI时钟产生器非常适合用于空间受限的应用。
关键字： 半导体， 集成电路(IC)， 射频干扰， 手机， 平板电脑
于本月14日，应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体推出新系列的有源时钟产生器集成电路(IC)，管理时钟源的电磁干扰(EMI)及射频干扰(RFI)，为所有依赖于时钟的信号提供降低全系统级的EMI。
新的P3MS650100H及P3MS650103H 低压互补金属氧化物半导体(LVCMOS) 降低峰值EMI时钟产生器非常适合用于空间受限的应用，如便携电池供电设备，包括手机及平板电脑。这些便携设备的EMI/RFI可能是一项重要挑战，而符合相关规范是先决条件。这些通用新器件采用小型4引脚WDFN封装，尺寸仅为1 mm x 1.2 mm x 0.8 mm。这些扩频型时钟产生器提供业界最小的独立式有源方案，以在时钟源和源自时钟源的下行时钟及数据信号处降低EMI/RFI。
P3MS650100H及P3MS650103H支持的输入电压范围为1.8伏(V)至3.3 V，典型偏差为0.45%至1.4%，在时钟源降低EMI/RFI的频率范围在15兆赫兹(MHz)至60 MHz。工作温度范围为-20 ºC至+85 ºC。
安森美半导体定制工业及时序产品副总裁Ryan Cameron说：“需要符合EMI规范同时控制成本及把印制电路板(PCB)占用面积减至最小，是移动应用的重要挑战。我们新的降低EMI IC克服这些挑战，提供在时钟源及源自时钟源的下行时钟及数据信号处降低EMI/RFI的高性价比方案。设计工程师在设计周期及早采用这些器件，可无须其他方案及加入成本不菲的额外PCB层或屏蔽来处理EMI/RFI问题。”
安森美半导体计划在2012年第1季度推出这系列更多针对不同频率范围及派生版本的IC。
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