Bridgelux携手Toshiba共同开发世界级性能8 吋氮化镓上矽LED 产品
摘要： LED照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商BridgELux 公司，以及全球领导半导体制造商Toshiba公司，今日共同宣布成功开发出业界最高水准的 8 吋氮化镓上矽(GaN on Silicon)LED 芯片，采用350mA电流，电压小于 3.1V，仅1.1mm 大小的LED芯片，亮度可达 614mW。
LED照明技术与解决方案的研发与制造领导厂商BridgELux 公司，以及全球领导半导体制造商Toshiba公司，今日共同宣布成功开发出业界最高水准的 8 吋氮化镓上矽(GaN on Silicon)LED 芯片，采用350mA电流，电压小于 3.1V，仅1.1mm 大小的LED芯片，亮度可达 614mW。Bridgelux 与 Toshiba在今年数月前才刚签署一项共同合作协议，接下来双方将进一步加快开发LED 芯片的脚步，以因应全球对 LCD 面板和照明系统日渐增加的需求。
Toshiba 亦对Bridgelux 进行股权投资，以期共同追求固态照明(Solid State Lighting，SSL)领域的技术创新;这项投资将进一步促进两家公司于 固态照明 领域的发展，并以Toshiba先进的矽加工和制造技术开发能力为基础，加速推动 Bridgelux 氮化镓上矽LED 芯片技术的研究与开发。
Bridgelux 执行长 Bill Watkins 表示：“Toshiba 与 Bridgelux长期携手开发技术，而股权投资将使两家公司形成更密切的策略关系，以达到促进降低照明市场中固态照明解决方案成本的共同目标。”
Toshiba 副总裁暨半导体与储存装置产品执行副总裁Makoto Hideshima表示：“我们很高兴能与 Bridgelux 共同进行开发活动，达到业界最佳效能的8 吋氮化镓上矽 LED产品。我们将持续追求最先进的技术，目标将技术进一步商品化。”
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