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2012年功率半导体市场微涨 细分市场发展不一

2012-09-21 10:36:35 来源:半导体器件应用网

摘要:  IMS资深分析师AshSharma表示,经济前景不明朗效应将持续发酵至2012年,导致2012上半年的功率半导体市场表现与前一年同期相较持平。而据IMS Research最新调查报告,预计2012年全球分立功率半导体市场将同比增长3.7%,产值达134亿美元。相比2011年的2.2%有了微幅的提升,同时,细分市场数据显示,对于不同的产品以及应用市场可说是冰火两重天。

关键字:  功率半导体,  智能手机,  放大器,  MOSFET

市场研究机构IMSResearch预测,全球功率半导体(Powersemiconductor)市场在2011年成长3.7%之后,2012年将进一步成长5.0%,达到320亿美元规模。IMS资深分析师AshSharma表示,经济前景不明朗效应将持续发酵至2012年,导致2012上半年的功率半导体市场表现与前一年同期相较持平。而据IMS Research最新调查报告,预计2012年全球分立功率半导体市场将同比增长3.7%,产值达134亿美元。相比2011年的2.2%有了微幅的提升,同时,细分市场数据显示,对于不同的产品以及应用市场可说是冰火两重天。

虽说功率半导体整体市场成长不明显,不过部分应用市场的表现仍保持强劲,例如智能手机对于功率半导体的需求就仍持续成长,这也是许多功率半导体业者锁定的市场区隔之一。事实上,随着高功能性智能手机大受欢迎,以及使用者对于这些手持装置无缝体验的使用期待,市场对于外形尺寸更短小轻薄、耗电量更低以提供更长电池使用时间的需求持续升高。

为符合上述需求,功率半导体业者积极研发具备更低导通电阻的功率MOSFET,以应用于大电流之充电/放电控制、RF功率放大器开/关控制,以及过电流截断开。IMS Research预计,2012年增长最快的分立器件和模块产品仍为IGBT。2011年,IGBT销售额首次超过10亿美元,年内大部分时间都处于供不应求的状态。这种境况一直到欧债危机及中国政府暂停了相应的能源补贴之后才有所减缓。2012年,IGBT增长的动力来自于工业电机驱动器和电源模块,以及混合动力汽车应用。预计虽然增长会放缓,但是整体分立IGBT市场仍将取得19%的增幅。

如IGBT般持续地增长是少见的,分立功率半导体市场的整体市场前景并不乐观。2011年,功率MOSFET、可控硅和GTO、IGCT、GCT的营收都有轻微跌幅。计算领域和消费电子领域是商用功率MOSFET和整流器市场的主要驱动力,而这两个领域自2011年中以来一直下滑。预计,MOSFET和整流器在整体分立功率半导体市场所占的份额总和将由2011年的75%下滑至2012年的74%以下,到2016年将进一步下滑至仅72%。2012年,不仅是对笔记本电脑、液晶电视、DVD播放器/录音机和其它消费电子的出货量将持平甚至下跌;同时,由于用户对低功耗的追求,每台设备中的功率半导体量也将有所缩减。今年在西方国家由于模拟向数字的迁移几近完成,由此导致的液晶电视销售激增的情况也接近尾声。

2012年,计算及办公设备领域占整体功率MOSFET的份额将为37%。今年,以下几个因素将导致MOSFET市场下滑:全球经济放缓,2011年泰国十月的洪灾影响了2012年前期的笔记本电脑生产,微软Windows 8发布前期的销售放缓,以及因平板电脑崛起蚕食了笔记本电脑的市场份额(相比于笔记本电脑,平板设备搭载的功率MOSFET器件更少)。计算领域MOSFET在2012年及之后将有三个主要的影响。最显著的变化在于微处理器技术方面,由于Intel最近发布的Ivy Bridge微架构将比此前的型号节省高达50%的功耗,这也表明Ivy Bridge母板将比此前少用高达50%的功率MOSFET。其次,提高功率效率的需求正推动电源适配器的设计趋向于同步整流技术,这将弃用整流二极管转而采用MOSFET。最后,服务器市场将因“云计算”发生改变,未来预计将促进大容量服务器的销售,降低稍小型服务器企业的销售。

基本上,氮化镓及碳化硅在功率半导体领域的崛起,主因在于,相较于传统以硅为材料的功率半导体,这两项新材料具有更低的导通电阻及更高的切换速度,更能符合日益严苛的能源效率要求,因此前景颇受看好,预料市场版图将持续扩大。

2012年,分立功率半导体市场增长最快的是汽车和工业应用领域,包括可再生能源、通讯、医疗、照明和交通等。蜂窝手持设备和基础设施,消费电子以及计算和办公设备领域的增长幅度将较平均水平更低。

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