SanDisk与东芝合力扩建Fab 5
摘要： SanDisk于日前表示，正与东芝(Toshiba)合力扩建位于日本三重县四日市的五号半导体制造工厂(Fab 5)第二期工程，并共同展开3D NAND记忆体技术的研发，为2D NAND Flash记忆体制程将于10奈米(nm)节点面临微缩瓶颈，预做准备。
SanDisk亚太区副总裁吴家荣表示，随着智能手机、平板装置及超轻薄笔电(Ultrabook)配备NAND Flash和固态硬盘(SSD)比重不断攀升，NAND Flash记忆体市场将持续供不应求，因而吸引各NAND Flash供应商纷纷投入扩产，以纾解供货紧缩的问题。
吴家荣进一步指出，该公司与东芝合资的五号半导体制造工厂，即将启动第二期扩产计划，将持续采用最先进的19奈米制程技术，预定于2014年下半年正式投产;此外，SanDisk亦将藉由该工厂进行3D NAND技术的研发。
据了解，五号半导体制造工厂第二期扩产工程，一方面将导入19奈米制程投产2D NAND Flash存储器;另一方面则采用BiCS(Bit Cost Scalable)技术试量产3D NAND存储器，该技术标榜具备高性能、低成本且架构可扩充性的优势，已于先前由东芝率先发表，而SanDisk已规划采用该项技术，生产3D NAND闪存产品，并预计于2016年投产首款3D NAND存储器。
针对SanDisk是否会选用3D NAND记忆体技术发展10奈米以下的制程，吴家荣说明，该公司目前无法对外说明3D NAND存储器技术的制程规划蓝图，但可预见的是，相较于过去每一代NAND Flash制程节点差距动辄10奈米以上，进入19奈米以后，制程微缩的节点间隔将明显缩小。
显而易见，2D NAND存储器技术即将面临发展瓶颈，而3D NAND存储器将成为提高NAND Flash密度和降低成本的必然途径，也因此，除东芝和SanDisk之外，三星(Samsung)、海力士(Hynix)及IM Flash Technologies亦已投入3D NAND存储器技术布局。其中，三星预定于2014年量产3D NAND存储器。
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