3月14日英飞凌官网发布消息称英飞凌科技股份有限公司(Infineon Technologies AG)将通过其子公司英飞凌科技奥地利股份有限公司(Infineon Technologies Austria AG)对英诺赛科(珠海)科技有限公司(Innoscience (Zhuhai) Technology Company, Ltd.)和英诺赛科美国公司(Innoscience America, Inc.)及其附属子公司提起诉讼。该诉讼目前已向加利福尼亚州北区地方法院提起。

英诺赛科是一家国内氮化镓(GaN)IDM企业，全球首家实现8英寸硅基氮化镓(GaN)量产。根据Trendforce去年数据，其在氮化镓(GaN)功率半导体器件市场营收排名第三。2023年2月，公司宣布年出货量达5亿颗，市占率达30%。另外据路透社报道，英诺赛科计划今年在香港进行IPO，预计融资3亿美元。

英飞凌方面称，其为了防止自己拥有的与氮化镓(GaN)技术相关的美国专利收到侵犯，目前正在寻求永久禁令。涉及起诉的专利权利要求涵盖了氮化镓(GaN)功率半导体器件的核心方面，其中包括可实现英飞凌专有的氮化镓(GaN)器件可靠性和性能的创新。

英飞凌声称英诺赛科侵犯了上述提及的英飞凌专利，其行为包括在美国制造、使用、销售、提供销售和/或进口各种产品，包括用于多种应用的氮化镓(GaN)晶体管，涵盖汽车、数据中心、太阳能、电机驱动、消费电子以及用于汽车、工业和商业应用的相关产品。

英飞凌功率与传感器系统部总裁 Adam White对此表示，为了保证所有客户和终端用户的利益，英飞凌将大力保护其知识产权。数十年来，英飞凌一直投资于与氮化镓(GaN)技术相关的研发、产品开发和制造专业知识。英飞凌将继续捍卫其知识产权并保护其投资。

值得一提的是，去年10月份，英飞凌宣布完成了对氮化镓系统公司(GaN Systems Inc.)的收购。目前英飞凌已经拥有350个氮化镓(GaN)相关的同族专利。此次提起诉讼的专利或许正是来自于去年的收购。

而此次被起诉的英诺赛科也不是头一次遇到专利诉讼。早在去年，另一家氮化镓(GaN)公司Effcient Power Conversion(EPC)也曾向加州地区法院以及美国国际贸易委员会提起诉讼，称英诺赛科侵犯了其四项专利。这些专利涵盖了 EPC 专有的增强型氮化镓(GaN)功率半导体器件的设计和大批量制造工艺的核心方面。

不过，英诺赛科方面否认了这些说法，并发布了一则声明对方没有事实根据。此次陷入与英飞凌的氮化镓(GaN)专利官司，可能会对其上市进程有所影响。

其实在诸如科技、半导体等技术密集型行业中，专利纠纷并不少见。在技术日益复杂以及供应链全球化的趋势下，专利纠纷更加难以避免。高通和苹果、英伟达和三星都曾有过专利纠纷。此前高通指控苹果侵犯了其多项专利。双方最终达成和解，签署了为期6年的全球专利许可协议。而英伟达和三星专利诉讼案最终也以双方交叉授权专利和解告终。

而此次英飞凌起诉英诺赛科最终走向如何，还有待更多消息披露。