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英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400V,重新定义AI服务器电源的功率密度和效率

2024-06-25 17:19:43 来源:英飞凌 点击:2814

【2024年6月25日,德国慕尼黑讯】随着人工智能(AI)处理器对功率的要求日益提高,服务器电源(PSU)必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末,每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出现,促使英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)开发电压650V以下的SiC MOSFET产品。现在,英飞凌基于今年早些时候发布的第二代(G2)CoolSiCTM技术,推出全新CoolSiC™ MOSFET 400V系列。全新MOSFET产品组合专为AI服务器的AC/DC级开发,是对英飞凌最近公布的PSU路线图的补充。该系列器件还适用于太阳能和储能系统(ESS)、变频电机控制、工业和辅助电源(SMPS)以及住宅建筑固态断路器。

CoolSiC™ MOSFET 400V TO-Leadless

CoolSiC™ MOSFET 400V TO-Leadless

英飞凌功率系统业务线负责人Richard Kuncic 表示:“英飞凌提供的丰富高性能MOSFET和GaN晶体管产品组合能够满足AI服务器电源对设计和空间的苛刻要求。我们致力于通过CoolSiC™ MOSFET 400V G2等先进产品为客户提供支持,推动先进AI应用实现最高能效。”

与现有的650V SiC和Si MOSFET相比,新系列具有超低的传导和开关损耗。这款AI服务器电源装置的AC/DC级采用多级PFC,功率密度达到100W/in³以上,并且效率达到99.5%,较使用650V SiC MOSFET的解决方案提高了0.3个百分点。此外,由于在DC/DC级采用了CoolGaN™晶体管,其系统解决方案得以完善。通过这一高性能MOSFET与晶体管组合,该电源可提供8千瓦以上的功率,功率密度较现有解决方案提高了3倍以上。

全新MOSFET产品组合共包含10款产品:5款RDS(on)级(11至45mΩ)产品采用开尔文源TOLL和D²PAK-7封装以及.XT封装互连技术。在Tvj=25°C时,其漏极-源极击穿电压为400V,因此非常适合用于2级和3级转换器以及同步整流。这些元件在苛刻的开关条件下具有很高的稳健性,并且通过了100%的雪崩测试。高度稳健的CoolSiC™技术与.XT互连技术相结合,使这些半导体器件能够应对AI处理器功率要求突变所造成的功率峰值和瞬态,并且凭借连接技术和低正RDS(on)温度系数,即便在结温较高的工作条件下也能发挥出色的性能。

供货情况

CoolSiC™ MOSFET 400V产品组合的工程样品现已发布,并将于2024年10月开始量产。

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