GaN挑战Si价格底线?英飞凌推出全球首个12英寸GaN晶圆技术

2024-09-13 18:02:30 来源:半导体器件应用网 作者:廖正世 点击:1805

昨日,英飞凌宣布已成功开发出全球首个12英寸功率氮化镓GaN晶圆技术,并计划在今年的德国慕尼黑展上向公众展示首批12英寸GaN晶圆。

据英飞凌介绍,12英寸晶圆上的芯片生产在技术上更先进,效率也有显著提高,相较于8英寸晶圆,单晶圆可容纳2.3倍的芯片数量

晶圆

▲图源:包图网

英飞凌12英寸GaN技术的一大优势在于,它可以利用现有的12英寸硅基生产线进行生产,无需重建工厂,极大提高了生产灵活性。

此次英飞凌的实验就是利用其位于奥地利的一条现有的12英寸硅基生产线成功制造出了12英寸的GaN晶圆。

晶圆

▲图源:英飞凌官网

这意味着,不需要重建新的工厂,英飞凌就能迅速地根据市场需求扩大其GaN产能。

同时,12英寸GaN晶圆的全面量产,将有助于实现GaN与Si在相同RDS(on)时,在成本上实现一致

也就是说,日后,GaN产品的价格将有望与Si产品持平

01收购GaN Systems,精准布局

GaN作为第三代半导体材料,与传统硅基相比,具备更高的导电性、更低的开关损耗以及更小的尺寸和重量。

由于这些优点,GaN特别适用于高频、高压、高温等苛刻环境,因此在诸如5G基础设施、数据中心、电动汽车、可再生能源和工业自动化领域中应用广泛。

12英寸GaN晶圆带来的产量提升以及与硅基器件成本持平的价格将进一步推动GaN技术在更多领域的应用,以及其市场更快速的扩张。

晶圆

▲图源:英飞凌官网

实际上,英飞凌近年来在GaN领域的布局早已开始。

去年,英飞凌就以8.3亿美元的价格收购了加拿大的氮化镓系统公司(GaN Systems)。

后者彼时在GaN市场拥有15%的市占率,其产品主要以650V和100V氮化镓为主,是少有的同时具有高压和低压产品线的厂商,并且是当时仅有的两家销售高功率应用的氮化镓厂商

此次收购帮助英飞凌迅速填补其在功率氮化镓市场中的空缺,完善了其功率器件的产品线,并使得其在功率氮化镓的市占率上升到了16%,进一步巩固了其在功率半导体市场的龙头地位。

事后来看,英飞凌的眼光毒辣,布局精准。

GaN市场规模趋势图

▲功率GaN器件市场趋势(图源:Yole Group)

在2023年整个半导体行业下滑约 8.2%的时候,功率GaN市场收入却实现了惊人的41%的逆增长。

根据 Yole Group 的季度市场监测报告,这一增长势头将在 2024 年继续,增幅达 45%,到 2025 年将加速至 65%。预计 2023-2029 年期间收入将以 46% 的复合年增长率 (CAGR) 增长。

02瑞萨进军GaN赛道,行业竞争愈发激烈

虽然英飞凌在GaN技术上取得了重要突破,但市场竞争依然激烈。其他主要竞争者也在加速布局氮化镓技术。

今年6月,瑞萨就通过完成对Transphorm的收购,正式进入氮化镓(GaN)功率半导体赛道。

Transphorm是一家全球领先的氮化镓(GaN)功率半导体供应商,专注于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的GaN半导体功率器件。其产品广泛应用于多个市场领域,包括基础设施和IT、消费和计算、泛工业领域、汽车以及5G等。

瑞萨本就是全球主要芯片供应商之一,此次收购后,瑞萨将采用Transphorm的汽车级GaN技术来开发新的增强型电源解决方案,例如用于电动汽车的X-in-1动力总成解决方案,以及面向计算、能源、工业和消费应用的解决方案。

新能源汽车概念图

▲图源:包图网

与此同时,英诺赛科(Innoscience)在2023年保持了全球GaN市场的领导地位,占据了31%的市场份额。其主要专注于快充和消费电子市场,依托8英寸晶圆的量产,确保了在中低功率市场中的成本优势。同时,英诺赛科正在逐步进军汽车和工业领域,扩大其业务覆盖面。

Power Integrations(PI)则凭借其PowiGaN技术在快充和家电市场中占据了重要位置。PI的InnoSwitch系列产品以高效的AC-DC电源转换技术闻名,广泛应用于多个行业,特别是在追求高集成度和低成本的市场中表现突出。

电源适配器

▲图源:pixabay

Navitas在快充市场的表现同样抢眼,其GaNFast技术已经成为多个智能手机和笔记本品牌的核心快充方案。通过收购GeneSiC,Navitas成功扩展了其在碳化硅(SiC)市场的业务,并进一步增强了其在电动汽车和高功率应用市场中的竞争力。

ROHM也同样通过其EcoGaN系列产品进入了GaN市场,特别是在150V和650V功率器件领域表现出色。ROHM专注于开发小型化和高效率的GaN功率器件,目标市场涵盖电动汽车、可再生能源和工业设备。

03GaN未来能否打破成本瓶颈?

未来,氮化镓(GaN)技术的普及取决于是否能够有效突破成本和工艺瓶颈。如果GaN的成本能够与硅基功率器件相当,它将彻底改变电动汽车、5G、数据中心等高功率应用领域。

英飞凌凭借12英寸GaN工艺的创新,确实走在了前面,但这并不意味着其他玩家就会落后。

氮化镓技术正处于快速发展期,各大厂商纷纷投入巨资进行技术突破和市场扩展。今年瑞萨通过收购Transphorm进入GaN市场就说明,未来,可能会有更多的IDM公司将通过收购和内部技术开发进入氮化镓市场,市场竞争将越来越激烈

未来的技术路线图可能不会只有氮化镓(GaN)一条,碳化硅(SiC)等材料同样会争夺市场份额。真正有优势的公司,不仅仅是技术领先,更要在生产工艺、规模化能力和成本控制上找到平衡点。

简单来说,未来的功率半导体市场,谁能最快把新材料技术做到“平民化”,谁就可能在这场激烈的竞争中脱颖而出。市场最终选择的,可能不是技术最前沿的产品,而是技术与成本结合最好的产品。

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