近日，从英飞凌的1200V碳化硅(SiC)MOSFET到龙腾半导体的950V超结MOSFET，再到罗姆半导体的30V耐压共源Nch MOSFET，这些产品不仅优化了功率密度、开关性能和热管理能力，还在系统成本、可靠性和空间节省方面提供了显著价值。

英飞凌：CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET单管，专为各种工业应用开发，包括工业驱动、电动汽车充电、太阳能，SSCB，人工智能，不间断电源和CAV等。

图/英飞凌

顶部散热Q-DPAK具有出色的散热性能，更易于组装，从而降低了客户的系统成本。与底部散热解决方案相比，顶部散热器件可实现更优化的PCB布局，从而减少寄生元件和寄生电感的影响。同时还能增强散热能力。

• 产品特点

SMD顶部散热封装

杂散电感低

CoolSiC™ MOSFET 1200V G2技术具有优化的开关性能和FOM因子

.XT扩散焊

最低RDS(on)

封装材料CTI>600

爬电距离>4.8mm

耐湿性

雪崩保护、短路保护和寄生导通PTO保护

• 应用价值

更高的功率密度

实现自动装配

不需要太复杂的设计

与底部散热封装相比，具有出色的热性能

改善系统功率损耗

电压有效值950V，污染度为2

可靠性高

降低TCO成本或BOM成本

龙腾半导体：950V 超结MOS系列

龙腾半导体自主开发的超高压950V超结SJ MOS平台，采用先进的多次外延结构设计，在保证高耐压的基础上，有效减少器件内部的寄生电容，进一步优化开关过程中的能量损失。

与传统的PN结结构相比，这种新型结构能够有效减小漏电流，提高器件的热稳定性和抗电场能力，确保在高压条件下的可靠性。满足LED照明电源、适配器、模块电源、植物照明电源等高压中功率领域的需求。

采用多次外延工艺，通过精准堆叠外延层并优化掺杂分布，实现电荷平衡与电场均匀性的大幅提升，赋予产品三大核心优势：

• 极低导通损耗

Rsp(比导通电阻)较国际竞品降低22.3%，显著减少导通损耗，可在植物照明电源中实现更高能效。

• 超快动态性能

FOM(Qgd)优化14.5%，开关损耗(Eon/Eoff)分别降低18.5%和43.1%，助力高频电源设计简化。

• 卓越可靠性

Trr(反向恢复时间)缩短13.6%，减少开关噪声，提升系统稳定性;同时，多次外延工艺增强了器件耐压能力，支持950V高压场景下的长期稳定运行。

图/截自龙腾半导体公众号

罗姆半导体：30V耐压共源Nch MOSFET

罗姆半导体推出30V耐压共源Nch MOSFET新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ(Typ.)，达到业界先进水平。

图/罗姆半导体

新产品采用ROHM自有结构，不仅提高器件集成度，还降低单位芯片面积的导通电阻。另外，通过在一个器件中内置双MOSFET的结构设计，仅需1枚新产品即可满足双向供电电路所需的双向保护等应用需求。

新产品中的ROHM自有结构能够将通常垂直沟槽MOS结构中位于背面的漏极引脚置于器件表面，并采用了WLCSP*3封装。WLCSP能够增加器件内部芯片面积的比例，从而降低新产品的单位面积导通电阻。导通电阻的降低不仅减少了功率损耗，还有助于支持大电流，使新产品能够以超小体积支持大功率快速充电。

例如，对小型设备的双向供电电路进行比较后发现，使用普通产品需要2枚3.3mm×3.3mm的产品，而使用新产品仅需1枚2.0mm×2.0mm的产品即可，器件面积可减少约81%，导通电阻可降低约33%。即使与通常被认为导通电阻较低的同等尺寸GaN HEMT*4相比，新产品的导通电阻也降低了约50%。因此，这款兼具低导通电阻和超小体积的“AW2K21”产品有助于降低应用产品的功耗并节省空间。

另外，新产品还可作为负载开关应用中的单向保护MOSFET使用，在这种情况下也实现了业界超低导通电阻。