晶圆90、65奈米制程价格恐重力加速度下滑
2007-06-16 10:56:15
来源：大比特资讯
近年来晶圆代工产业成长率低于20%，明显不若往年，晶圆代工业者亟思拓展多元产品线，以延续其成长动力，台积电将电源管理IC、感测组件、嵌入式内存及CPU视为未来新契机，联电执行长胡国强2日亦表示，联电将跨入内存、CPU市场。业界推测台积电、联电均已锁定超微(AMD)低阶PC CPU为先期首要争取对象，这恐将对超微目前代工伙伴新加坡特许(Chartered Semiconductor)产生一定程度冲击。
在CPU领域方面，台积电、联电动作相当积极。台积电总执行长蔡力行日前指出，目前台积电在45奈米制程表现来看，绝对足堪CPU制造，台积电对CPU市场兴趣很浓厚；胡国强则说，愈来愈多IDM采用Fabless或Fab-lite策略，这股势力有助于联电扩展产品线，现正与客户进行互惠的合作关系。外界推测CPU外释订单较为弹性的超微(AMD)低阶计算机CPU，将会是台积电、联电首波争取的对象。
超微工程副总裁李新荣(Allen Lee)则指出，超微持续强化与晶圆代工关系，其中与特许合作65奈米制程可望于2007年中时完成；而超微合并亚鼎(ATI)后的新超微，亦与台积电为首的晶圆代工维持90、80、65奈米制程制造合作。业者认为台积电、联电亟欲从既有与超微绘图芯片(GPU)合作关系切入CPU，若晶圆双雄下一个市场竞逐焦点转移至CPU市场，那么恐将分食特许订单。
事实上，台积电、联电已经先在内存订单上交过手，日前联电争取到台积电多年客户赛普拉斯(Cypress)65奈米制程订单，目前已进入合作开发阶段；Spansion则采台积电0.11微米、90奈米制程生产NOR Flash，台积电南科12吋厂产量正不断扩增当中，且双方公布合作之前，业界曾盛传联电亦有意争取Spansion青睐，但最后还是花落台积电。
尽管台积电、联电对于既有内存产业的企图心都很强，但对外皆三缄其口。蔡力行指出，台积电跨入内存产业绝不仅止于NOR Flash产品，目前已有几个其它合作案，但仍不宜宣布；胡国强则说，相较于DRAM，Flash产品与逻辑IC制程兼容性较高，制程转换较易，较可能成为填充产能(Fab filler)选项之一，但联电2007年内是否投入量产Flash，则不予置评。
不过，对于着重冲刺产能的标准型DRAM，蔡力行就明言，台积电肯定不会投入；胡国强也指出，内存产业规则与逻辑IC截然不同，耗费巨额投资、市场波动又非常剧烈，近2季内存产品价格波动便逾6成，显然其对晶圆专工步入游戏规则全然不同的内存产业仍不乏疑虑。
目前晶圆代工投入Flash最积极的就是中芯国际，中芯北京12吋厂部分生产DRAM，未来代管的武汉新芯将全数替尔必达(Elpida)生产70奈米以下制程DRAM；而上海12吋厂则是向以色列业者SaiFun技术授权，拟投产NAND 型闪存(Flash)。中芯则是4家晶圆代工厂中，逻辑IC、内存双主轴最明确的厂商。
值得注意的是，由于内存、CPU多采先进制程，台积电、联电同时拓展此市场，难免再度替90、65奈米制程价格投下巨大变量，使原本制程价格呈现重力加速度下滑，抵销掉部分争取到新订单的效益。
此外，台积电、联电要争取超微CPU订单，仍有技术障碍得克服。特许过去直接采用绝缘层上覆硅(Silicon-on-Insulator；SOI)技术，但台积电则选择自行开发替代性SOI，并认为目前SOI无法达成本效益；联电则认为，传统CMOS(Bulk CMOS)仍较具成本效益，但未来SOI的重要性与日俱增，尤其在32奈米制程可能会是必要制程技术之一。
在CPU领域方面，台积电、联电动作相当积极。台积电总执行长蔡力行日前指出，目前台积电在45奈米制程表现来看，绝对足堪CPU制造，台积电对CPU市场兴趣很浓厚；胡国强则说，愈来愈多IDM采用Fabless或Fab-lite策略，这股势力有助于联电扩展产品线，现正与客户进行互惠的合作关系。外界推测CPU外释订单较为弹性的超微(AMD)低阶计算机CPU，将会是台积电、联电首波争取的对象。
超微工程副总裁李新荣(Allen Lee)则指出，超微持续强化与晶圆代工关系，其中与特许合作65奈米制程可望于2007年中时完成；而超微合并亚鼎(ATI)后的新超微，亦与台积电为首的晶圆代工维持90、80、65奈米制程制造合作。业者认为台积电、联电亟欲从既有与超微绘图芯片(GPU)合作关系切入CPU，若晶圆双雄下一个市场竞逐焦点转移至CPU市场，那么恐将分食特许订单。
事实上，台积电、联电已经先在内存订单上交过手，日前联电争取到台积电多年客户赛普拉斯(Cypress)65奈米制程订单，目前已进入合作开发阶段；Spansion则采台积电0.11微米、90奈米制程生产NOR Flash，台积电南科12吋厂产量正不断扩增当中，且双方公布合作之前，业界曾盛传联电亦有意争取Spansion青睐，但最后还是花落台积电。
尽管台积电、联电对于既有内存产业的企图心都很强，但对外皆三缄其口。蔡力行指出，台积电跨入内存产业绝不仅止于NOR Flash产品，目前已有几个其它合作案，但仍不宜宣布；胡国强则说，相较于DRAM，Flash产品与逻辑IC制程兼容性较高，制程转换较易，较可能成为填充产能(Fab filler)选项之一，但联电2007年内是否投入量产Flash，则不予置评。
不过，对于着重冲刺产能的标准型DRAM，蔡力行就明言，台积电肯定不会投入；胡国强也指出，内存产业规则与逻辑IC截然不同，耗费巨额投资、市场波动又非常剧烈，近2季内存产品价格波动便逾6成，显然其对晶圆专工步入游戏规则全然不同的内存产业仍不乏疑虑。
目前晶圆代工投入Flash最积极的就是中芯国际，中芯北京12吋厂部分生产DRAM，未来代管的武汉新芯将全数替尔必达(Elpida)生产70奈米以下制程DRAM；而上海12吋厂则是向以色列业者SaiFun技术授权，拟投产NAND 型闪存(Flash)。中芯则是4家晶圆代工厂中，逻辑IC、内存双主轴最明确的厂商。
值得注意的是，由于内存、CPU多采先进制程，台积电、联电同时拓展此市场，难免再度替90、65奈米制程价格投下巨大变量，使原本制程价格呈现重力加速度下滑，抵销掉部分争取到新订单的效益。
此外，台积电、联电要争取超微CPU订单，仍有技术障碍得克服。特许过去直接采用绝缘层上覆硅(Silicon-on-Insulator；SOI)技术，但台积电则选择自行开发替代性SOI，并认为目前SOI无法达成本效益；联电则认为，传统CMOS(Bulk CMOS)仍较具成本效益，但未来SOI的重要性与日俱增，尤其在32奈米制程可能会是必要制程技术之一。
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