“与三星角力不退半步！” 东芝谈NAND市场
2006-09-20 13:39:07
来源：半导体器件应用网
控制NAND闪存、NOR闪存、DRAM内存等未来内存市场的条件是什么？在东京国际数字会议上，各内存厂商以“内存无线时代的挑战”为题，对市场的未来发展做了展望。
其中，值得关注的是东芝对NAND闪存市场所做的分析。上台发言的是东芝半导体公司副社长齐藤升三。“NAND闪存的年供货总位数已经超过DRAM内存”。齐藤预测说，2008年NAND闪存将发展成一个规模达3万亿日元的大市场。认为，市场规模与DRAM相同、与DRAM相比位单价更便宜的NAND闪存在供货金额方面很快也将赶上来。
关于今后的NAND闪存市场，齐藤表示，随着价格的走低，市场也将随之迅速扩大（图1）。过去几年NAND闪存的价格每年以40%的幅度下降，2005年随着iPod nano的亮相，每年的价格降幅已达50%。照此形势发展下去，首先是数码摄像机，接下来就将是电脑市场。“在数码摄像机中录1个小时的HDTV录像所需的存储容量为3G～4GB。NAND闪存应用于数码摄像机只是时间问题。在电脑领域，闪存有可能作为SSD（固态磁盘）来使用”（齐藤说）。
随后齐藤还对大容量化技术中的多值技术进行了预测。齐藤表示，每单元4位的16值NAND闪存有望在2008年开发成功（图2）。不过，随之而来的课题则是NAND闪存的读写速度会下降。解决这种性能下降问题的关键在于控制IC。“NAND闪存性能的下降取决于控制IC，用户看不出来。惟有控制IC才能成为实现新一代NAND闪存的关键元件。正因为如此，东芝正在致力于控制IC的开发”。齐藤说。此外，在微细化方面现已瞄准30nm，2009年下半年有望实现。不过，30nm以后需要全新EUV曝光设备的微细化计划尚未确定。
对于市场竞争激烈的NAND闪存，“最重要的是产量”。齐藤表示，将紧追排名第1位的韩国三星电子。“NAND闪存市场将是我们和三星电子平分秋色”。因此，重要的是继续进行技术开发和市场开拓。
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