三星试制512MB PRAM 08年投产“速度为NOR型闪存30倍”
2006-09-20 13:40:54
来源：半导体器件应用网
三星电子试制的512Mbit相变内存
韩国三星电子宣布，针对非挥发性内存--相变内存（PRAM）“开发成功了达实用水平的试制品”。计划08年内供应首批产品，目标是替代NOR型闪存。
此次，三星试制的相变内存容量为512Mbit。通过在相变内存中使用该公司DRAM制造中采用的3维结构晶体管而实现。单元面积非常小，只有0.0467μm2。只相当于普通NOR闪存的一半。
相变内存在写入新数据时不需要进行擦去原数据的处理。因此，与原来的NOR型闪存相比，数据写入的速度可达30倍。
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