台积电与超捷在90nm混载闪存技术领域展开合作
2006-09-20 14:17:56
来源：半导体器件应用网
美国超捷（SST）与台积电（TSMC）日前就面向90nm逻辑LSI混载的闪存技术签订了授权合同。TSMC将接受SST公司90nm混载闪存技术“超快闪（SuperFlash）”的授权，嵌入该公司的混载闪存新产品中，提供给客户。预定2007年中开始样品供货。此次授权90nm混载闪存技术在业内尚属首例。
SST的90nm超快闪技术适用于64位微控制器、高性能ASIC、多媒体IC等。应用于混载的超快闪技术其优点在于可与逻辑电路使用同一电源电压进行闪存的读取等，实现了低电压工作。之所以长于低电压工作，是因为采用了以源极输入方式工作的分裂闸(Split Gate)存储单元架构。
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