日立发表LSI布线工艺实现的“MEMS on CMOS”技术

2007-01-30 16:03:25 来源:半导体器件应用网 点击:1033
日立制作所在“MEMS2007”上发表了利用LSI布线工艺在CMOS部分上形成压力传感器的技术。由于要在MEMS部分利用CMOS LSI布线工艺,所以能够在CMOS部分使用可在CMOS LSI实现的尖端工艺。

  日立在2005年的“Transducers”上发表了利用布线工艺形成压力传感器的技术。该技术是先形成钨材料的下部电极之后,在其上形成二氧化硅(SiO2)层,然后再在其上形成硅化钨(WSi)材料的上部电极。在硅化钨上有多个微孔,对这些微孔下面的二氧化硅进行蚀刻后,再利用氮化硅(SiN)膜覆盖硅化钨进行密封。这样,被挖空的二氧化硅就形成了密闭的空洞,夹着这部分二氧化硅的电极之间便成为了电容。当受到压力后,上部电极就会弯曲,与下部电极的距离缩短,从而使静电容量增大。根据这一变化,便可检测出压力的变化。

  此次,日立在CMOS部分上形成了压力传感器。为了检测可靠性,还在用于进行压力检测的电容器旁边,形成了参考电容器。参考电容器的上部

电极与下部电极之间留有支柱,使得上部电极受到压力也不会弯曲。这样通过与参考电容器相比较,便可读取受压弯曲部分的实时变化或反复受压导致的变化。

  另外,CMOS部分使用的是4层铝(Al)布线的0.35μm工艺。

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