日立发表LSI布线工艺实现的“MEMS on CMOS”技术
2007-01-30 16:03:25
来源：半导体器件应用网
点击：1039
日立制作所在“MEMS2007”上发表了利用LSI布线工艺在CMOS部分上形成压力传感器的技术。由于要在MEMS部分利用CMOS LSI布线工艺，所以能够在CMOS部分使用可在CMOS LSI实现的尖端工艺。
电极与下部电极之间留有支柱，使得上部电极受到压力也不会弯曲。这样通过与参考电容器相比较，便可读取受压弯曲部分的实时变化或反复受压导致的变化。
日立在2005年的“Transducers”上发表了利用布线工艺形成压力传感器的技术。该技术是先形成钨材料的下部电极之后，在其上形成二氧化硅（SiO2）层，然后再在其上形成硅化钨（WSi）材料的上部电极。在硅化钨上有多个微孔，对这些微孔下面的二氧化硅进行蚀刻后，再利用氮化硅（SiN）膜覆盖硅化钨进行密封。这样，被挖空的二氧化硅就形成了密闭的空洞，夹着这部分二氧化硅的电极之间便成为了电容。当受到压力后，上部电极就会弯曲，与下部电极的距离缩短，从而使静电容量增大。根据这一变化，便可检测出压力的变化。
此次，日立在CMOS部分上形成了压力传感器。为了检测可靠性，还在用于进行压力检测的电容器旁边，形成了参考电容器。参考电容器的上部
另外，CMOS部分使用的是4层铝（Al）布线的0.35μm工艺。
本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载，否则将严格追究法律责任；
暂无评论