KLA-Tencor 公司今天推出最新型叠对测量系统 Archer 200，它包含一个能够显著改善性能的增强型光学系统，这对于帮助客户在 32 纳米设计规格节点达到双次成图光刻更严格的叠对要求至关重要。客户还可以选择在 Archer 200 上增加 KLA-Tencor 先进的散射测量技术，以在达到其特定的 32 纳米及更小线距测量要求中提供更大的灵活性。    

    KLA-Tencor 叠对测量部的副总裁兼总经理 Ofer Greenberger 表示：“32 纳米设计的叠对预算被拉到极限，特别是采用双次成图技术，并且芯片制造商正在寻求提高其叠对系统的精度与速度。我们新的 Archer 200 系统延伸了我们熟知的光学成像技术的性能优势，可满足 32 纳米光刻控制的所有层要求，并且其许多增强功能都可以在安装的 Archer 的广大客层上进行升级，以获得最大投资回报。我们与主要光刻供应商的密切关系已在高阶叠对控制中产生重要的强化作用，能帮助芯片制造商实施双次成图的更先进的扫描曝光机校正与监控。”  

    作为 KLA-Tencor 持续关注先进成像技术，以推动公司叠对路线图向前发展的一部分，其工程师对 Archer 200 系统的核心光学设计进行了重大改进。与上一代 Archer 系统相比，这些开发成果让机台匹配度提高 50% 以上，产能提高 25%。匹配是叠对测量中的一个关键衡量标准，因为不同系统必须实现几乎完全相同的层对准。这个更强的光学系统还有一个重新设计的光路，能够通过更多的光，因为测量越快，产能就越高。新的相机管理算法可以加速系统作业并降低噪音，进一步提高产能和精确度。  

    32 纳米设计规格节点为叠对测量带来了两项独特挑战：更高的芯片密度及光刻双次成图。为了克服这两项挑战，客户必须增加叠对抽样，并更加高效地使用先进的叠对目标。Archer 200 让芯片制造商能够使用业界标准 AIM 目标，或者甚至能够被插入芯片自身内部不同位置的更小的“微 AIM (µAIM)”目标。这种更强的叠对目标能力能够实现最大的扫描曝光机对准，由此带来最大的设备产能。  

    Archer 200 系统提供了一个可选模块，该模块具备先进的散射叠对 (SCOL) 测量功能。此选项可实现亚纳米级总测量误差，让客户能够无需多个专属系统即可使用 SCOL 技术开始工作。  

    Archer 200 系统已被美国、欧洲及韩国的多家包含逻辑电路及内存代工厂在内的芯片制造商应用于 45 纳米生产及 32 纳米开发。 

    关于 KLA-Tencor：KLA-Tencor 是为半导体制造及相关行业提供良率管理和制程控制解决方案的全球领先企业。该公司总部设在美国加州的圣何塞市，销售及服务网络遍布全球。KLA-Tencor 跻身于标准普尔 500 强公司之一，并在纳斯达克全球精选市场上市交易，其股票代码为 KLAC。

    Archer 200 技术概要 

    双次成图光刻 (DPL) 需要更多的成图步骤，这带来更多的叠对测量以进行多次曝光。加上不断缩小的设计规格，DPL 在测量机台上容许的叠对测量预算中导致步骤功能降低。  

    重新设计的光学系统 

    Archer 200 系统的新型光学系统让成像性能得到显著改善，且产能提高，因此整个板上的规范更加严格。 
    旨在使用具备先进分析功能的 AIM 目标技术及 µAIM 目标应对 32 纳米节点挑战，实现双次成图所需的高阶叠对控制和多层测量 
    以速度提高 20% 的 0.6 秒更快移动 - 获取 - 测量 (MAM) 时间实现更高产能 
    在总测量误差 (TMU) 方面的规范严格度提高 25% 以上（1.0 纳米） 
    改善匹配度 30-50% 
    改善机台诱发位移 (TIS) 20%（0.8 纳米） 
    测量的可重复性更强 

    高阶叠对控制得到改善 

    32 纳米世代光刻中的双次成图不仅需要更高阶非线性制模，还需要更佳的场级与栅格级扫描曝光机对准及效能。最近的数据显示，从线性转变到更高阶模型后，叠对控制可以得到改善。与单独的高阶栅格校正相比，高阶栅格与场级校正令测量拥有成本显著改善。