SiC半导体国际会议开幕 新一代功率元件备受期待
2007-10-22 10:09:33
来源：半导体器件应用网
作为新一代功率半导体材料备受关注的碳化硅（SiC）国际会议“ICSCRM 2007”10月14日在日本滋贺县大津市开幕。围绕SiC功率半导体不可缺少的晶圆（底板）技术和元件技术，来自世界各地的研究者报告了最新成果。会期截止到19日，期间共有400篇论文进行口头发表或书面发表。
此次会议的焦点是“如何确定导致SiC功率半导体性能和可靠性下降的‘致命缺陷’”（技术项目委员会主席、产业技术综合研究所奥村元）。SiC底板的“微管（中空贯通）缺陷”曾是SiC功率半导体的最大课题，目前该课题的解决已经有了眉目，因此讨论的重点转为位错（Dislocation）缺陷等其他缺陷对元件特性造成的影响。
今年的投稿总数为420篇，比往年略少。原因是会议构成与往年相比有所变化。从投稿地区来看，日本有125篇、欧洲有116篇、美国有97篇、亚洲和大洋洲有37篇、其他地区有4篇。会议将发表从中采用的390篇论文以及10篇特邀论文。第一天的参加者有600人左右，与往年基本持平。ICSCRM每两年召开一次，此次是第12届。该项国际会议由日本、美国和欧洲轮流举办，1995年曾在日本京都，2001年在筑波举行过，此次是第3次在日本举行。
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