意法半导体（ST）推出全新30V功率晶体管，采用第六代STripFET™制造工艺，功率密度达到业内最高水平
2009-04-09 11:23:06
来源：大比特资讯
STripFET VI DeepGATE产品系列首批产品，提升功率转换器的能效，采用PowerFLAT 5x6封装，典型导通电阻 1.6毫欧
功率半导体业全球领先厂商意法半导体推出全新系列的30V表面贴装功率晶体管，导通电阻仅为2毫欧（最大值），新产品可提高计算机、电信设备和网络设备的能效。
采用意法半导体最新的 STripFET VI DeepGATE制造工艺，单元密度提高，以有效芯片尺寸对比，新产品实现业内最佳的导通电阻RDS(ON)，比上一代产品改进大约20个百分点，开关稳压器和直流--直流转换器内因此可以使用小尺寸的贴装功率封装。这项技术还得益于本身既有的低栅电荷量特性，这项优点让设计人员可以使用高开关频率，在产品设计中选用尺寸更小的无源器件，如电感和电容。
意法半导体新30V表面贴装功率晶体管产品提供各种工业标准封装，包括SO-8、DPAK、5x6mm PowerFLAT、3.3 x 3.3mm PowerFLAT、PolarPAK®、通孔IPAK和SOT23-6L，兼容现有的焊盘/引脚布局，同时还能提高能效和功率密度。这一特性使意法半导体的STripFET VI DeepGATE产品系列可以创造出最大的市场机遇。
首批采用新工艺的产品包括STL150N3LLH6和STD150N3LLH6两款产品。STL150N3LLH6采用5x6mm PowerFLAT封装，单位面积导通电阻 RDS(ON)* 达到市场最低水平；STD150N3LLH6采用DPAK封装，导通电阻 RDS(ON)为2.4毫欧。
两款产品的样片都已上市，计划2009年6月开始量产。
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