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本周，多家半导体厂商发布最新产品进展，涵盖MOSFET驱动器、二极管、生物传感芯片、电源降压芯片等等。
全球知名半导体制造商罗姆生产的EcoSiC™产品——SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”），被日本先进电源制造商COSEL CO., LTD. 生产的三相电源用3.5kW输出AC-DC电源单元“HFA/HCA系列”采用。
Littelfuse公司今日宣布推出SMFA非对称系列表面贴装瞬态抑制二极管，这是市场上首款非对称瞬态抑制解决方案，专为保护碳化硅（SiC）MOSFET栅极免受过压事件影响而设计。
Littelfuse公司荣幸地宣布推出IX4341和IX4342双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器。这些栅极驱动器专为驱动MOSFET而设计，通过增加其余两个逻辑输入版本完善了现有的IX434x驱动器系列。
英飞凌科技股份公司推出600V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列。该系列器件结合了600V CoolMOS™ 7 MOSFET系列的先进特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7和S7产品系列的后续产品。
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出适用于汽车功率管理应用的600V CoolMOS™ S7TA超级结MOSFET。
英飞凌科技股份公司正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS™ 7 MOSFET产品组合，在40V产品组合中新增了采用稳健且无铅封装的器件，并且推出了80V和100V型号的OptiMOS™ 7 MOSFET。
英飞凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。
Littelfuse公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
