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目前，电动汽车和工业马达的可变速马达驱动系统，其低损耗·高效率·高频率的性能正在不断进化。因为使用了以低电阻、高速开关为特点的SiC和GaN等新型功率元件的PWM变频器和AC/DC转换器、DC/DC转换器，其应用系统的普及正在不断加速。
本篇文章将介绍肖特基强化PIN限幅器的低损耗配置，并通过实验结果来确认它的更好性能。
随着国家能效政策的大力推广，越来越多的电机应用如洗衣机、风机、洗碗机、油烟机开始采样变频技术。在传统的电机驱动中，使用分立元件导致系统设计结构复制，可靠性降低，意法半导体(STM)推出针对小功率电机应用开发出一种结构紧凑，可靠性高的功率模块产品，称之为SLLIMM小型低损耗智能集成模块。
目前，国内光伏电站以及大多数的分布式光伏项目主要采用500kW光伏逆变器，其核心技术是功率变换的效率。而目前业界公认最好的解决方案是采用英飞凌的第四代IGBT4的PrimePACK™3 封装的模块。PrimePACK™3拥有低寄生电感，低热阻等特点，充分发挥了第四代构槽栅场终止技术 FieldStop IGBT芯片的低损耗的优势。
作为半导体技术首屈一指的主导企业，罗姆引领世界之先，致力于低损耗元器件的开发，已经从半导体材料硅锭采集到模具，形成一条龙的制造、开发体系。罗姆产品的“节能环保 ”，正是从小小的元器件开始。
Linear推出一款用于 9V 至 72V系统的理想二极管桥控制器 LT4320。其采用低损耗 N 沟道 MOSFET 替代了全波桥式整流器中的全部 4 个二极管，以显著地降低功率耗散并增加可用电压。由于电源效率的提升免除了笨重的散热器，因此缩减了电源尺寸。通过免除二极管桥中固有的两个二极管压降提供了额外的裕度，低电压应用将从中获益。与传统的替代方案相比，MOSFET 桥可实现具有高空间利用率和电
日前，推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)持续扩充高性能绝缘门双极晶体管(IGBT)产品阵容，应用于消费类电器及工业应用的高性能电源转换(HPPC)。安森美半导体新的第二代场截止型(FSII) IGBT器件改善开关特性，降低损耗达30%，因而提供更高能效，并转化为更低的外壳温度，为设计人员增强系统总体性能及可靠性的选择。这些新器件针对目标
技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司(纳斯达克代码：TQNT)，推出其首批四款高性能声表面波 (SAW) GPS收发双工器 (Diplexers)模块-890084、890085、890086、及890087，体积比陶瓷收发双工器小近三倍。该新系列产品可使用任何TriQuint CSP5封装式射频滤波器，首批四款产品面向商业通信系统的低损耗/高衰减的GPS需求。
加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS， CA) – 2012 年 7 月 24 日 – 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出具备理想二极管的浪涌电流抑制器 LTC4364，该器件能以紧凑和低损耗的解决方案在汽车、航空电子和工业系统中为 4V 至 80V 的电子设备提供保护。该浪涌抑制器将下游电子线路与输入过压和过流隔绝开来，从而能在浪涌瞬变期间连
2012年7月3日，Molex公司的子公司Temp-Flex LLC宣布，提供采用专有工艺的微波同轴电缆，设计用于高带宽应用。在军用和航空航天、国防、自动测试设备和医疗应用中，Temp-Flex的低损耗和超低损耗电缆都能提供更快的速度和更好的电气性能。
