发展SiC材料产链 节能环保从元器件开始
早在2008年，$罗姆就提出 “相乘战略”、“LED战略”、“功率元器件战略”、“传感器网络战略”的 4大发展战略，从这些战略不难看出，罗姆公司的产品正朝着节能环保的方向发展。
8月30日，罗姆公司主办的“2013ROHM科技展”，在广州嘉鸿华美达广场酒店成功召开。从罗姆展出的$功率元器件看，碳化硅作为新一代元功率器件 材料备受瞩目。$SiC在高温下拥有出众的工作特性、电力损失少、可高速化，这些特性在各种应用中更加节省电力。罗姆的技术推广人员讲到：“我们常说的省电，通过元器件技术一点点实现。”
不少IC都受到尾电流(关断时流过的过渡电流)的困扰，在开关的时候，电力损耗较大。从Hybrid MOS和SiC的新产品MOS来看，罗姆已经克服尾电流的难关，在关断时开关损耗可以减少90%，而且可实现50kHz以上的驱动开关频率，实现机器的节能化。
今年4月，罗姆开发的Hybrid MOS展现出强大的效率性能和适应性。它既具备SJ型功率MOSFET的高速开关特性与良好的低电流性能，又具备IGBT的高耐压特性。此前，要求具备节能性的电子设备一直使用具有高速开关特性和良好低电流性能的SJ型功率MOSFET。但是，工业用大功率设备要求能在高温下工作并具备良好的大电流性能，SJ型功率MOSFET显得性能不佳，只能采用IGBT。Hybrid MOS无论是在低电流区域还是大电流区域，均可获得较高的转换效率。该产品主要用于服务器、工业设备、节能家电等配备的电源电路及功率因数校正(PFC)电路。
相对Si材质器件，新一代SiC器件在性能上具有绝对的优势：耐高温、耐高压、耐高频。罗姆的目标是以SiC为核心，强化$IC、TR等功率元件的产品线。通过扩大普及SiC器件，还能助力全球范围内实现节能和减少CO2的排放。
据介绍，SiC的抗击穿能力是Si的10倍，宽能带隙是硅的3倍，高热传导是硅的3倍。那SiC材料的出现会不会取代Si的市场?罗姆的技术推广人员做出解释，SiC的效率很高，决定它会有很大的市场。目前，主要的缺点是价格太高，这需要业界各企业共同努力，改进生产技术。由于SiC的特性，将来在高压产品的领域可能会替代Si成为主流材料，但在低压、低电流产品Si的性能会比较好，依旧在市场中占据优势。
诚如罗姆的技术推广人员所言“SiC的效率很高，决定它会有很大的市场。”作为半导体技术首屈一指的主导企业，罗姆引领世界之先，致力于低损耗元器件的开发，已经从半导体材料硅锭采集到模具，形成一条龙的制造、开发体系。罗姆产品的“节能环保 ”，正是从小小的$元器件开始。
本文出自大比特资讯(www.big-bit.com)，转载请注明来源
暂无评论