功率 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一种用于切换和控制电力的功率半导体器件。它通过在金属氧化物半导体(MOS)结构中利用电场效应来控制电流流动。功率 MOSFET 通常用于开关电源、电机控制、电池充电器等应用。 功率 MOSFET 的主要特点包括: 1高开关速度: 2低导通电阻: 3高输入阻抗: 4 高耐压: 功率 MOSFET 的主要缺点是在高电流和高电压下容易产生开关损耗,这会导致功率MOSFET 发热。
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【2024年4月15日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。该产品的特点包括功率密度显著提高,和采用通用且稳健的高电流SSO8 5 x 6 mm² SMD封装。
英飞凌科技股份公司推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS™ 7 80 V的首款产品IAUCN08S7N013。
英飞凌科技股份公司推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术,具有出色的热性能,可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板(PCB)。
本期Big-bit拆解将带来关于某品牌电动车控制器的产品拆解,该控制器采用了上海贝岭的功率MOSFET,让我们来看看它在产品中的作用和优势吧。
瑞森半导体进一步壮大和完善超结(SJ)MOSFET系列,推出600V超结功率MOSFET---RSF60R070F、RSF60R026W型号。2枚新品各自具备核心优势,为国内少有产品型号 ,技术领航市场。
本文总结了功率因素校正电路PFC电感加旁路二极管作用的几种不同解释:减少主二极管的浪涌电流;提高系统抗雷击的能力;减少开机瞬间系统的峰值电流,防止电感饱和损坏功率MOSFET。
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三个管脚,分别为栅极(Gate),漏极(Drain)和源极(Source)。功率MOSFET为电压型控制器件,驱动电路简单,驱动的功率小,而且开关速度快,具有高的工作频率。
本文主要分析了功率MOSFET的输出电容和米勒电容的非线性特性,探讨了影响这二个电容的相关因素。
2016年12月15日,北京讯— 德州仪器 (TI) 近日宣布推出了一组12V,10A,4MHz降压电源模块,与市场现有10A电源模块解决方案相比,可将电源管理解决方案的体积减小20%。SWIFT TPSM84A21和TPSM84A22 DC/DC模块易于使用,并将功率MOSFET、隔离电感、输入和输出电容以及无源器件集成于薄型封装中。
电源的设计是一个比较成熟的领域,可以采用另外一种设计思路实现度显示屏的供电,例如同步整流技术。Q10为功率MOSFET,在次级电压的正半周,Q10导通,Q10起整流作用;在次级电压的负半周,Q10关断,同步整流电路的功率损耗主要包括Q10的导通损耗及栅极驱动损耗。