半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间,电阻率约在1mΩ·cm~1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。
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GaN是一种新型的半导体材料,它是氮和镓的化合物,也是一种宽禁带半导体材料。GaN具备带隙大(3.4eV)、绝缘破坏电场大(2×106V/cm)及饱和漂移速度大(2.7×107cm/s)等特点,能够在更高压、更高频、更高温度的环境下运行。氮化镓通常用于微波射频、电力电子和光电子三大领域。
碳化硅是一种宽禁带半导体材料,具有高击穿场强、高热导率、低导通电阻等特性,如今已经广泛应用于多个领域。当下电机行业有哪些技术发展方向和趋势?如何把握电机领域新产品、新技术、新解决方案?
11月18-21日,第十届国际第三代半导体论坛(IFWS2024)&第二十一届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA2024)、先进半导体技术应用创新展(CASTAS)将在苏州国际博览中心举办。半导体材料学家,中国科学院院士杨德仁将出席论坛,并将带来“半导体材料产业的现状和挑战”的大会报告。
碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料,具有宽禁带的特性,从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。SiC器件适用于高压、高频应用场景。
告别漫长充电等待,800V超充技术革新升级!在2024'中国电子热点解决方案创新峰会上,英博尔电驱CTO刘宏鑫、纳微半导体技术营销经理肖开祥和致茂电子资深经理朱明星,就800超充技术的充电桩、车载电源及第三代半导体材料的应用等问题表达了自己的看法。
氮化镓技术,通常称为 GaN,是一种宽带隙半导体材料,越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心,这些应用还包括 HVAC 系统、通信电源、光伏逆变器和笔记本电脑充电电源。
基于半导体材料的半导体芯片是信息化社会各个行业不可或缺的食粮,其发展水平是反映一个国家高技术实力、国防能力和国际竞争力的主要标志之一。
业界普遍认为,氧化镓有望替代碳化硅和氮化镓,成为第四代半导体材料代表。
随着宽禁带半导体材料成本得到明显下降,其应用情况将会发生明显变化。
截至目前,第三代半导体材料的应用已经进入人们的日常工作和生活当中,特别是GaN和SiC。未来,除了PD快充和新能源汽车等热门应用市场,国产的GaN和SiC材料应用将会有新的市场逐步出现。